全文获取类型
收费全文 | 10219篇 |
免费 | 995篇 |
国内免费 | 823篇 |
专业分类
电工技术 | 885篇 |
综合类 | 944篇 |
化学工业 | 1261篇 |
金属工艺 | 900篇 |
机械仪表 | 833篇 |
建筑科学 | 837篇 |
矿业工程 | 318篇 |
能源动力 | 271篇 |
轻工业 | 857篇 |
水利工程 | 250篇 |
石油天然气 | 491篇 |
武器工业 | 165篇 |
无线电 | 925篇 |
一般工业技术 | 902篇 |
冶金工业 | 423篇 |
原子能技术 | 160篇 |
自动化技术 | 1615篇 |
出版年
2024年 | 41篇 |
2023年 | 146篇 |
2022年 | 315篇 |
2021年 | 468篇 |
2020年 | 354篇 |
2019年 | 254篇 |
2018年 | 228篇 |
2017年 | 269篇 |
2016年 | 234篇 |
2015年 | 395篇 |
2014年 | 538篇 |
2013年 | 628篇 |
2012年 | 796篇 |
2011年 | 801篇 |
2010年 | 730篇 |
2009年 | 750篇 |
2008年 | 737篇 |
2007年 | 739篇 |
2006年 | 726篇 |
2005年 | 588篇 |
2004年 | 428篇 |
2003年 | 294篇 |
2002年 | 276篇 |
2001年 | 268篇 |
2000年 | 256篇 |
1999年 | 164篇 |
1998年 | 118篇 |
1997年 | 112篇 |
1996年 | 84篇 |
1995年 | 72篇 |
1994年 | 58篇 |
1993年 | 42篇 |
1992年 | 29篇 |
1991年 | 14篇 |
1990年 | 20篇 |
1989年 | 21篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 1篇 |
1951年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
21.
文章针对国内管输天然气气质分析工作中取样环节所存在的问题,结合国外技术发展趋势,全面地介绍了输气管道天然气连续取样器的研制过程。实践证明,该装置较好地解决了天然气密度值偏差问题,满足管输天然气全分析的要求,同时,该装置的推广应用将会提高天然气的计量准确度。 相似文献
22.
对弹性杆与水下壳体接触冲击问题进行了研究,用有限元法模拟壳体,边界无法模拟无限域流体,通过温面上的耦合条件进行联立求解,文中给出了典型算例,并进行了有关讨论。 相似文献
23.
24.
25.
26.
27.
通过对金堆地区建筑物稳定性变化的分析,提出了金堆地区浅基础设计的见解,阐明了在进行浅基础设计时,应在综合分析地质、地形、地貌、建筑物特性等因素的基础上,进行择优选择,对该地区的浅基础设计有一定的指导意义。 相似文献
28.
Li Xi Zuoyan Peng Wei Fan Kui Guo Gu Jianmin Muyu Zhao Wu Guoqiang 《Materials Science and Engineering: B》1996,40(2-3):147-152
SrMgxTi1 - xO3 nanocrystals (x = 0.1–0.6) were synthesized by the stearic acid gel method. Powder samples were characterized by X-ray diffraction and X-ray photoelectron (XP) spectroscopy. The results showed that the lattice parameter a and the O 1s XP spectrum changed not only with the Mg content x but also with the grain size d of the samples. The conductivity of a thick film specimen fabricated on an aluminium oxide wafer was investigated in a nitrogen—oxygen atmosphere. 相似文献
29.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献
30.
连续时间广义边值系统被描述为Ex(t)=Ax(t)+Bu(t),V0x(0)+Vrx(T)=v,其中E是奇异方阵,u(t)满足任意次可微,本文讨论了一类连续时间广义边值系统的有关向内和向外边值过程的两个重要概念,并在此基础上给出了能控性和能观性定义和判别准则. 相似文献