低温去合金化处理对医用镍钛合金表面性质的影响

分析了近等原子比NiTi形状记忆合金实现去合金化的热力学条件,并采用低温去合金化处理法对其进行表面改性:经SEM、XRD、XPS、EDX,模拟体液(SBF)仿生沉积等分析研究表明,NiTi合金经去合金化处理后,在合金表面选择性地除去了有害元素镍,在距表层约130nm深度内原位制各出完全无镍的具有纳米结构的二氧化钛层;同时结合上羟基(OH-),在SBF溶液中,经低温去合金化处理后的合金表面具有诱导Ca/P沉积的能力,从而提高了NiTi形状记忆合金的生物相容性.     

磷酸盐玻璃载银抗菌剂/PE抗菌性能的研究

本文探讨了磷酸盐玻璃载银复合抗菌剂在聚乙烯中的应用。结果表明:当抗菌剂的添加量为基体树脂的1‰时,抗菌塑料对细菌的抗菌率大于90%,有抗菌效果;当抗菌剂的添加量为基体树脂的3‰时,抗菌塑料对细菌的抗菌率为100%,达到了强抗菌效果。将抗菌样品再经过加速老化15天后,抗菌率仍为99%以上,抗菌长效性好。     

立式金属计量罐大容量的新测量方法

本文提出一种用于立式金属计量罐大容量的新的光学测量法,它具有测量准确度高、适应性强、可避免高空作业的特点。实验和分析表明,对容量为700～50000m~3的罐,测量的总不确定度为0.08%～0.02%。     

简化煤矿热电站设计的一些构想

煤矿热电站大部分负荷用于采暖,并且总负荷不大,因此避免套用大电厂设计模式,可采取与矿区共用生产辅助设施、生活设施等。另外,对锅炉布置、汽轮机布置和输煤系统等也应尽量简化,并采用新技术、新设备。这些措施对降低工程造价、压缩人员编制均有较明显的作用。     

固体法渗钛机理的探讨

对Ｔ８钢、４５钢、Ｃｒ１２ＭｏＶ钢试样进行了渗钛实验，用光学显微镜、Ｘ射线衍射仪及电子探针等对渗层形态、结构及微区成分进行了分析，对渗层的形成机理进行了探讨。认为在被覆碳化钛过程中，渗剂中残留的氧化性气氛，反应过程中产生的废气严重危害渗层的形成，文中提出的软密封方法可有效地防止氧化并能及时排除反应中产生的废气，使上述三种材料均能稳定获得８～１０μｍ渗层。     

企业能量审计与企业能量平衡工作的比较

<正> 一、能量审计与能量平衡的比较意义企业能量平衡工作早在70年代末就在我国开始推行,现已基本普及。目前,一些部、省已将这项工作变为指令性工作,对所属企业进行全面的企业能量平衡工作验收,颁发企业能量平衡工作验收合格证。有的地方对经过验收不合格的企业采取行政和经济手段责令其限期     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现，由于刻蚀的选择比低，所以掩模图形退缩严重，刻蚀端面的平整度差，台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现，SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明，介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件，获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。     

Javacard CPU的设计与实现

支持Javacard技术标准是智能卡的发展方向，目前的Javacard系统大多是采用软件虚拟机的方式来解释执行或者通过just-in-time方式执行Java指令，系统软件平台本身占用了大量的资源，且执行效率不高。解决这些问题的方法就是实现硬件Javacard指令处理器。该文给出了一种基于微码的Javacard指令处理器的FPGA设计和实现，以Javacard CPU为核心搭建Javacard CPU测试平台，并将其集成在一块FPGA上实现。