低电压驱动的功率场效应晶体管

据《学会志》1996年第二期报道，松下电子工业的电子综合研究所开发了用于便携电话的低压驱动功率放大场效应晶体管。新开发的场效应管栅极下部被微细加工成“V”状，可有效地控制电流。电源电压为IV时获得1．ZW的大功率。目前的便携机大多需3节以上1．ZV的镍氢电池，而使用该器件只需1节同类电池就已足够。此外，NEC也开发了使用1节电池驱动的便携机用功率管，以1．2V电源电压获得Iw以上的功率，功率转换效率高达63％。结构被称为在电子供给层中夹入电子渡越层的双掺杂双异质结构（doubledopedoublehetero）。低电压驱动的功率场效应…     

1280×1024像素的46cm彩色TFT LCD

据报道，日本NEC公司在1998年10月将推出一种高清晰度的TFTLCD，其像素数高达1280×1024。该器件的规格及性能大致如下：对比度为200：1；画面亮度200cd／m2时的功耗为45W；视角标准，上下左右均为160°。由于采用模拟信号进行驱动，所以液晶板从理论上讲可进行无限调制显示。当显示比1280×1024像素少的图像信号时，具有将画面整体放大的功能。该器件的尺寸为424mm×337mm×40mm，价格约为48万日元。1280×1024像素的46cm彩色TFT LCD@孙再吉     

低电流微型功率放大器

据《Wirelesstech》2006年第3期报道,安华高公司为IEEE802.11b/gWLAN设计的E PHEMT功率放大器以业内最低的工作电流实现了高线性输出功率。该产品采用2mm×2mm的微型LPCC封装形式。该放大器在2.452GHz和3.3V偏压工作时,实现了25.5dB的增益和 19dBm的线性功率输出,采用速率为54Mbps的OFDM调节时,EVM为3%,电流消耗仅为95mA;如果以11Mbps的CCK调节时,则可以实现 23dBm的线性功率输出,电流消耗仅为200mA。低电流微型功率放大器@孙再吉…     

106cm的PDP,对比度高达300:1

据报道，继1996年11月富士通推出106cm的PDP以来，NEC以同样的120万日元售价推出了106cm级PDP。但对比度远远地高于富士通的产品，富士通的对比度为60∶1，而NEC的产品高达300∶1。为了提高亮度低下时的对比度，该公司改变了驱动方法。过去的彩色PDP，在每一帧使用了至少使全象素一次引火放电的驱动方式。为实现灰度显示，必须增加放电次数。如，8bit的亮度信号下显示256灰度时，在一帧内至少进行八次引火放电。其结果是提高了黑色显示的亮度，而在环境亮度差的情况下，对比度下降。而这次NEC只需一次引火放电就可进行256灰度显示。…     

开发变形照明和移相掩模结合的新光刻技术

<正>据《Semiconductor World》1992年第9期(第11卷第11号)报道,日本三菱电机LSI研究所在第5届MPC(Micro Process Conference)上发表了开发变形照明与移相掩模结合的新光刻技术,进一步改善焦深和对比度。0.35μm的图形获得普通光刻法的2倍焦深。     

用于GaAs MMIC的移相曝光技术

用于ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ的移相曝光技术据日本《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ）１９９３年第１２期报道，三菱电机公司开发用于ＧａＡｓＭＭＩＣ栅的移相曝光技术，获得０．３５Ｐｍ电极图形，可进行规模生产。在移动通信领域，因高频率、高输出功率的需要，Ｇａ...     

AlGaAs－InGaP／GaAs HBT，f_T高达245GHz

ＡｌＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ　ＨＢＴ，ｆ_Ｔ高达２４５ＧＨｚ《ＩＥＥＤＩＪ》１９９３年第１２期报道了一种新的ＨＢＴ，采用ＡＩＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ发射区结构。该结构在发射极形成一个电子发射器，产生速度过冲效应。它一方面增强了发射极输运，同时减少了?..     

电源电压1．5V下，饱和输出功率为30．0dBm的HEMT

电源电压１．５Ｖ下，饱和输出功率为３０．０ｄＢｍ的ＨＥＭＴ据《日经》１９９５年第９－１１期报道，日本ＮＥＣ新开发的ＨＥＭＴ，在电源电压＋１．５Ｖ下，工作频率９５０ＭＨｚ时的饱和输出功率达３０．０ｄＢｍ（约１Ｗ）。可用于移动电话的功放。该器件的结构是，...