III-V族化合物HBT模型参数提取

对III-V族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进，加强了模型的拟合能力. 给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型，为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容，开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法，该方法同时允许本征集电极电阻（Rci) 的解析提取. 运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数，验证结果表明，算法精度可达40GHz.     

永磁起动机的电磁场分析

准确计算是提高永磁起动机国产化水平的前提，其难点在于气隙磁通的计算。由于永磁起动机的电枢反应较普通永磁直流电动机大得多，换向过程对气隙磁通的影响非常显著。为提高气隙磁场分析计算的准确性，本文考虑了定转子相对运动对电枢电流乃至磁场分布的影响，开发了永磁起动机电磁场分析软件，并对气隙磁通波动进行了分析。     

面向延迟和面积平衡的时钟网变线宽算法

在深亚微米下,变线宽技术是互连线优化的一种有效方法,针对时钟网布线,提出一种分布优化时延、面积和时钟偏差的变线宽算法,其中各阶段的优化是有机结合的,首先,提出一种基于敏感度的方法优化互连线树的延迟;而后在满足延迟约束的条件下,通过近似规划法使连线面积的增加最小;最后,为了确保时钟偏差小于给定的约束,进一步对时钟树枝宽度进行局部调整,实验表明,通过将基于敏感度的方法和较严格的数学规划方法结合起来可有     

TiNi形状记忆合金的阻尼特性及应用

从工程中一种常见的机器隔振模型出发，运用导纳模态方法，得出了输入到基础梁的功率流表达式，根据试验数据模拟了形状记忆合金的超弹性循环曲线并计算了TiNi形状记忆合金丝在一定振幅下循环加卸载时的超弹性等效阻尼，并将记忆合金丝作为一种等效阻尼材料应用到隔振模型中，通过计算机仿真，得出在此模型中使用记忆合金丝作为阻尼材料及用与合金丝在几个频率时的等效阻尼相当的普通阻尼材料时输入到基础的功率谱图，分析了记忆合合作为阻尼材料时对模型隔振效果的影响，从而得出其作为阻尼材料的优越之处。     

低真空封装的新型变电容面积MEMS惯性传感器阶跃响应特性分析

一种新型变电容面积MEMS惯性传感器与传统的梳齿电容传感器相比,具有对梳齿电容不平行敏感度低,可加测试电压高等优点.通过对该传感器在低真空封装条件下的惯性阶跃响应特性分析,着重研究了不同梳齿电容倾斜角度对该传感器的阶跃惯性信号响应的影响,以及不同倾斜角度梳齿的位移响应和测试电压、空气真空度的关系,并把该结果和梳齿结构的情况进行比较.结果表明,工艺因素对变电容面积MEMS惯性传感器在低真空封装下的阶跃惯性响应影响很小;另外,该结构上可加的测试电压可以是梳齿电容结构上可加测试电压的近10倍,这有利于减小接口电路的噪声.以上分析论证了该新型传感器有利于降低器件的工艺要求和提高传感器的分辨率.     

集成电路及系统设计实践教学的研究和改革

阐述了在集成电路设计实践教学中如何结合最新的EDA(电子设计自动化)工具,提高学生的实际设计应用水平。就集成电路设计教学参考流程的建立、实践教学内容和方法的确定、软硬件实践教学环境的建设进行了讨论。     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.     

用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程

介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz～25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.     

一种宽带低压的上变频混频器设计

设计了一种宽带且适合低压工作的上变频混频器.该上变频混频器采用电流注入结构缓减混频器噪声和线性度的相互制约关系,采用伪差分结构和LC负载结构实现低压工作.上变频混频器采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现,射频输入频率范围为50～860MHz.通过Cadence SpectreRF对混频器进行仿真,在1V的工作电压下,取得变频增益约为5.34dB,噪声系数约为21dB,1 dB压缩点约为-3.2dBm、三阶输入交调点约为12dBm,功耗为5mW.在整个射频宽带内,混频器性能参数稍有变化,波动范围较小.仿真结果证明,该宽带混频器结构适合低压工作,可应用于数字电视调谐器中.     

复杂隔振系统功率流求解策略的研究

针对复杂隔振系统—单层隔振和多层隔振的混合式系统的求解策略进行了详细的理论分析 ,提出了深度优先的结构化建模方法 以功率流传递的路线为依据 ,给出了系统按深度优先原则进行分析的求解算法 ,并从面向对象 (Object-oriented)的观点讨论了复杂柔性系统的功率流求解策略