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用HCl蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理,并用UV-Vis吸收谱、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)进行了分析,吸收谱结果表明HCl与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰,峰值位于820nm附近,此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带(Q带)加宽进入红外波段,光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化,其中Cl和O的含量随HCl蒸气处理的时间的增加而增加,而N和Ti的含量随HCl蒸气处理时间的增加而减小,说明HCl蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明,经HCl蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰,表明酞菁氧钛分子的排列结构也发生了变化。 相似文献
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利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜 .XRD测试和UV - Vis吸收谱测试证明在高于 880℃的温度下热处理 ,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜 .光致发光光谱分析表明 ,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射 ,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射 .由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定 ,可以与硅集成电路工艺兼容 ,而且发光强度高 ,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景 相似文献
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本文分析了由微处理器,A/D转换器及D/A转换器组成组合式A/D转换器的原理,介绍了设计方法和相应的设计公式,并剖析了组合式A/D转换器的转换速率,误差特性等,为设计出高质量的A/D转换器提供了定性和定量的保证。 相似文献