利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征

采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜 .XRD测试和UV - Vis吸收谱测试证明在高于 880℃的温度下热处理 ,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜 .光致发光光谱分析表明 ,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射 ,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射 .由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定 ,可以与硅集成电路工艺兼容 ,而且发光强度高 ,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景     

真空蒸发沉积VOPc薄膜及磁场对薄膜结构与性能的影响

用真空蒸发制备了酞菁氧钒 (VOPc)薄膜 ,并在磁场中进行了热处理。用X光电子能谱、X射线衍射、紫外 可见吸收光谱、原子力显微镜等手段对制备的薄膜进行了表征。结果表明沉积的酞菁氧钒薄膜为α 型 ,成分接近酞菁氧钒的分子式。制备的薄膜在磁场中进行了热处理 ,发现磁场使酞菁氧钒薄膜性质发生改变 :UV VIS吸收谱Q带发生红移 ;XRD谱图衍射峰强度明显增强 ,峰位略有变化 ;原子力显微镜 (AFM)分析发现晶粒大小无明显变化。以上结果说明磁场的存在使得VOPc分子在热处理过程中发生了定向的排列     

n型苝/p型无金属酞菁异质复合多层膜的紫外-可见吸收谱研究

利用真空蒸发技术生长了层厚为纳米数量级的n型导电系衍生物 (全氟取代酰亚胺 ) /p型导电无金属酞菁异质复合多层膜 ,并测试了样品的紫外 -可见吸收光谱。UV -Vis吸收谱实验结果表明 ,对应酞菁Q带吸收的主峰消失 ,次峰发生蓝移 ;全氟取代酰亚胺的吸收峰也发生蓝移 ,吸收带宽度扩展。结果表明 ,复合多层结构中与酞菁之间的电荷转移及纳米层厚导致的量子尺寸效应使分子中电子跃迁发生变化 ,导致吸收谱改变     

利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征

采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜.XRD测试和UV-Vis吸收谱测试证明在高于880℃的温度下热处理,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜.光致发光光谱分析表明,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射.由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定,可以与硅集成电路工艺兼容,而且发光强度高,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景.     

利用酞菁铅气体传感器的瞬态特性提高传感器的选择性

通过真空蒸发沉积技术在叉指状电极上制备了酞菁铅薄膜气体传感器。实验发展，酞菁铅薄膜对甲醇和丙酮这两种蒸气具有很高的灵敏度。对于甲醇蒸气，酞菁铅薄膜具有很快的响应速度，吸附和脱附时间只要2-3s，信号随即趋于稳定。对于丙酮蒸气，在吸附的初试阶段酞菁铅薄膜的响应时间与吸附甲醇蒸气时的相差不大，但酞菁铅薄膜的电阻率在经过这个快速响应变化以后并不趋向一个稳定值而是缓慢上升，最后甚至比吸附前的电阻率略高。通过电阻率-气体吸附时间响应曲线的瞬态特性分析，方便、清楚地区分了甲醇和丙酮两种液体。     

真空共沉积法制备酞菁铅与酞菁氧钒复合膜的研究

酞菁类化合物由于自身的各种特性在众多领域得到了广泛的应用 ,成为功能材料研究领域中的热点之一。在本文中 ,我们主要研究了真空沉积法制备的两种金属酞菁类材料PbPc与VOPc的单成分膜和复合膜的性质 ,并对其进行了紫外 可见吸收光谱和X光电子能谱的测试 ,发现两者之间的复合并不是简单的叠加 ,两种材料分子之间发生了相互作用     

溶胶-凝胶提拉法制备ZnO薄膜及其性能研究

采用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴择优取向生长.透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3.28eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30eV基本相同.用荧光光谱分析了经过400～600℃热处理获得的ZnO薄膜,结果表明ZnO薄膜在室温下可获得较强的紫外带边发射.适当选择热处理温度可以获得无可见波段发射的ZnO薄膜.     

n-ZnO/p-PbPc复合多层膜光吸收性能研究

用溶胶-凝胶(sol-gel)法和真空热蒸发沉积制备了氧化锌/酞菁铅交替生长复合多层膜,并对复合膜的光吸收性能进行了研究.实验发现,复合膜的紫外-可见吸收谱中,酞菁铅的Q带吸收峰同时具有明显的蓝移和红移引起的新峰出现,说明氧化锌和金属酞菁之间存在很强的相互作用.氧化锌和酞菁铅分子间存在两种效应:PbPc分子被ZnO包裹产生的量子约束效应导致的吸收峰蓝移,以及和n型导电的ZnO向p型导电的PbPc:分子的电荷转移产生的红移.