单圈非重复性主轴回转精度的最小区域法评价

针对不具有单圈重复性的主轴回转精度的评价存在困难的问题，建立单圈非重复性主轴回转精度评价的数学模型，并使用这个数学模型，进行主轴回转误差的集合转换，使得转换后的集合能够适应于基于计算机处理的最小区域评价方法，然后利用极差极小化的原理，建立最小区域法的误差评定统一准则。在这个评判准则基础上，给出了具体的算法流程图以及移动步长的统一求解公式。利用算法可以顺利实现对单圈非重复性主轴回转精度的最小区域法评价，从而提高了单圈非重复性主轴回转误差评价精度和误差评价效率。     

黎曼几何在并联机构动力学中的应用

介绍了采用黎曼几何的方法描述并联机构的动力学问题,推导出了一种十分简的动务学方程,黎曼几何的引入有助于我们对并联机构的动力学进行深入研究。     

阀控非对称缸位置伺服系统鲁棒控制策略研究

针对阀控非对称缸位置伺服系统的非线性和不确定因素,采用实验的方法建立了等效的线性不确定模型,并在理论线性化模型的基础上确定了抗负载干扰指标,设计了定量反馈(QFT)鲁棒控制器.在发现相位误差较大的情况下,采用零相差跟踪控制器代替前置滤波器.实验结果证明使用零相差跟踪控制器能够获得更高的曲线跟踪精度.     

电液伺服系统非线性不确定模型的线性化方法

详细分析和总结了目前国内外关于定量反馈理论(QFT)的文献中建立不确定性模型的方法.在此基础上,提出了三种获得系统不确定模型的思路:基于简单的闭环比例控制建立不确定模型、基于非线性数学建模建立不确定模型、基于神经网络辨识建立不确定模型,并以阀控非对称缸液压伺服系统为研究对象举例进行了阐述.此外还分别指出了这三种方法的优缺点.该研究为QFT的进一步工程应用奠定了很好的基础.     

光纤有源器件封装制造中的自动对准方法研究

针对激光二极管的封装,设计了大行程与高分辨率相结合的耦合对接试验平台,平台直线运动行程50mm,可实现0.01μm的可控分辨率。设计粗对准与精密对准相结合的搜索算法,完成激光二极管与单模光纤从零功率耦合到最大功率耦合位置的搜索定位。在峰值功率搜索阶段,为克服各个自由度交叉耦合的影响,首次将模式搜索法应用到光纤对准多自由度搜索,在搜索速度和算法稳定性上都优于传统的基于爬山法的变量轮换法。目前,使用模式搜索法进行三自由度搜索的平均搜索时间为30~50s。     

阀控非对称缸非线性系统高精度位置跟踪鲁棒控制研究

针对阀控非对称缸电液位置伺服系统的非线性和不确定因素,采用试验方法建立了等效的线性不确定模型,并在理论线性化模型的基础上确定了抗负载干扰指标,设计了定量反馈(QFT)鲁棒控制器。在发现相位误差较大的情况下,采用零相差跟踪控制器代替前置滤波器,并用设计的零相移低通滤波器来抑制零相差跟踪控制器的高频增益。试验结果证明:改进后的定量反馈控制能够获得更高的曲线跟踪精度。     

相关检测与自动增益控制在音叉式石英微陀螺中的应用

通过研究音叉式石英微陀螺的工作原理,针对如何提升音叉式石英微陀螺的各项性能参数等问题,介绍了基于相关检测和自动增益控制的一种陀螺正弦恒幅驱动和弱信号检测方案,并应用于石英微陀螺角速率传感器中,有效地提高了陀螺仪的各项性能.     

离子束加工光学镜面的材料去除特性

分析了离子束加工光学镜面的材料去除效率、加工损伤厚度以及表面热效应等材料去除评价指标。基于Sigmund溅射理论,分析了此三个评价指标与离子入射角度和离子能量等加工参数的关系,建立了相关模型。以石英玻璃为例,利用TRIM软件仿真离子溅射过程,分析理论模型各参数,具体研究了三个评价指标与离子能量和入射角度的关系。结果表明:材料去除效率随离子能量的增大而缓慢增大,随入射角度增大而显著增大,60°时的去除效率约为0°时的4.5倍;加工损伤厚度随离子能量增大而近似呈线性增大,随入射角度增大而减小;热效应随离子能量近似呈线性增大,而随入射角度增大而减小。因此,离子束加工工艺过程中,应尽量增大离子束入射倾角来同时提高这三方面的指标。     

空间相机SiC反射镜的制作

1　空间相机ＳｉＣ反射镜的要求空间相机反射镜的工作环境复杂 ,和地基条件相差很大 ,其选材必须满足以下要求 :反射镜材料属光学级 ,可以抛光 ,并能够镀高反射率膜层 ;面形精度 (ＲＭＳ)要求达到λ/40～λ/5 0 ;膜层反射率 (λ =0 5～ 0 .9μｍ)要大于 0 .95 ;各向同性 ,尺寸稳定 ;抗辐照 ,在空间辐照条件下反射镜面形不变 ;比刚度大、热变形系数小。表 1是几种代表性反射镜材料的性能参数。从中可见 ,ＳｉＣ是制作空间相机反射镜的理想材料 ,这是因为 :(1)反射镜的径厚比和比刚度成正比 ,而ＳｉＣ的比刚度大于 10 ,因此它能够减小反射镜…     

PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究

通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.