Windows中多媒体应用程序设计

介绍了Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ Ｗｉｎｄｏｗｓ３．１定义的ＭＣＩ接口标准，以及如何使用ＭＣＩ接口由编写多媒体程序。并给出了一种ＭＣＩ设备－波形音频设备的编程实例。     

基于量子棒纳米纤维大面积定向排列的偏振增亮膜及其在宽色域显示中的应用

作为一种新兴的纳米材料,CdSe/CdS量子棒的偏振发光特性使其在应用于新型液晶显示中极具潜力,而如何将量子棒材料在宏观尺度上大面积的定向排列是实现该技术的关键性问题。在本文中,我们报道了一种大面积、含定向排列量子棒、基于PMMA纳米纤维制成的偏振增亮膜。首先,采用一种新的TBP辅助合成方法,合成出具有核壳结构的CdSe/CdS量子棒。该材料的绝对量子产率达到了60%,发光波长的半峰宽为25nm,具有182nm的大Stokes位移。随后将这些量子棒溶于氯仿、DMF和PMMA混合溶液中制备用于静电纺丝的纺丝液。通过静电纺丝技术,将含有量子棒的聚合物纳米纤维通过滚筒收集处理,得到了一张透明、大面积、偏振增强的增亮膜,5cm~2增亮膜的偏振度为0.45。最后将制备的增亮膜嵌入一个液晶显示模组中测试,结果显示该模组的亮度提高了18.4%。这一结果表明我们制备的量子棒增亮膜在新型宽色域高光效显示领域具有非常广阔的应用前景。     

垂直旋转流场中单颗粒运动特性分析

用摄像机研究了颗粒在流场中的运动轨迹以获取其运动参数,分析了不同实验段不同流场转速和颗粒直径下颗粒运动速度和加速度的变化规律.结果表明,颗粒在旋转流场中的运动可分为发展阶段和稳定阶段,稳定状态下的颗粒作周向运动时运动轨迹类似于椭圆;随转速增加,颗粒速度和加速度增大且呈周期性变化,周期性幅值逐渐增大;随颗粒直径增大,颗粒运动速度和加速度减小,颗粒趋于壁面时处于静止状态.     

枇杷叶有效成分的研究进展

综述了枇杷叶的化学成分、药理作用及其应用研究进展,指出枇杷叶含有挥发油、三萜酸类、倍半萜类、皂苷类、黄酮类、多酚类、有机酸类等多种化学成分,具有止咳祛痰、降血糖、抗病毒和抗肿瘤等药理活性,有重要的开发利用价值．     

石门坎水电站混凝土双曲拱坝接缝灌浆施工

拱坝按缝灌浆质量对建筑物蓄水后安全起到至关重要的作用,从灌浆系统加工、安装到灌浆质量检查,中间有众多交叉施工,历时长,若有一工序质量失控,会造成灌浆实施困难,甚至造成接缝灌浆失败。本文详细阐述接缝灌浆全工艺的操作流程、方法,操作要求及对特殊情况的处理方法,经质量检查,石门坎电站接缝灌浆施工质量良好。     

规划管理信息系统加密技术研究

随着规划管理部门信息化建设的不断深入,在规范业务审批、方便业务审批的同时,信息系统的安全性已经越来越成为一个突出的问题.为了提高规划管理信息系统的安全性,建立一个加密的软件模型,本系统采用数据库加密、软件加密、网络传输加密、VPN加密等技术,保障了数据的安全,进一步提高了系统的安全性.     

柴达木盆地北缘马东地区构造演化特征浅析

本文研究了柴达木盆地北缘马海构造带的构造演化特征,探讨了其构造演化阶段。研究表明,柴北缘的构造演化经历了两次拉张——挤压构造旋回、四个演化阶段。即燕山早期断坳阶段(J1-K1)、燕山晚期挤压隆升阶段(K2)、喜山早期断坳阶段(E-N21)、喜山中晚期挤压反转阶段(N22-Q)。同时对马东地区的构造演化分析表明本区与整个柴北缘地区的构造演化史一致,也经历了两次拉张-挤压构造旋回、四个演化阶段。     

IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀

IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15%以内;当压力在4Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加。据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100%改善。     

a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下,研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响。通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si剩余厚度,找出电学特性稳定区域以及突变的临界点。实验结果表明:在黑暗(Dark)环境下a-Si剩余厚度在30%～48%之间时,TFT器件的电学特性比较稳定,波动较小;而剩余厚度少于30%时,TFT特性变差,工作电流变小,开启电压变大,电子迁移率变小;在光照环境下主要考虑漏电流的影响,在a-Si剩余厚度43%以内时,光照I_(off)相对较低(小于Spec 20pA),同时变化趋势较缓;而剩余厚度大于43%时,光照I_(off)增加25%,同时变化趋势陡峭。综合黑暗和光照测试环境,在其他条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在30%～43%之间时TFT的电学特性较好,同时相对稳定。