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72.
在激光陀螺动态测角过程中,瞄准并建立一个可靠的零点是比较关键的问题。利用双光束干涉原理设计了指零仪的光路,描述了其瞄准原理和电路组成,分析了研制过程中应该注意的问题。利用高精度速率偏频激光陀螺的输出脉冲对指零仪进行了稳定性和重复性的实验,在转速为144(°)/s时指零仪的指零精度优于±0.1″,指零重复精度优于±0.05″。结果证明,所研制的指零仪具有很高的指零精度和良好的动态响应能力,验证了设计的合理性和可行性,为高精度激光陀螺测角仪的研制奠定了良好的基础。 相似文献
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通过优化比较不同的金属化膜、卷绕方式、卷绕张力、卷绕错边等卷绕参数;压紧系数;热聚合的时间和温度参数;喷金工艺参数和喷金灰污染的控制;真空浸渍的时间、温度和真空度以及油介质的水分和残余气体控制;检漏与热老练试验的温度和时间参数等工艺条件,提出选择合理的工艺参数,形成一套完善的生产油浸式直流支撑金属化电容器的工艺。 相似文献
75.
采用Zeta电位表征Al_2O_3粉在悬浮液中的分散特性,研究了超声波分散时间、不同粒度Al_2O_3粉以及分散剂六偏磷酸钠的浓度和Al_2O_3粉体悬浮液pH值对Al_2O_3粉体Zeta电位的影响.研究结果表明:Zeta电位绝对值随超声波作用时间发生明显变化,在一定条件下存在一个最佳分散时间为4~6 min;悬浮液中Al_2O_3粉体颗粒的粒度对悬浮液的Zeta电位有重要影响;在Al_2O_3粉体悬浮液中添加分散剂六偏磷酸钠,Zeta电位随其浓度发生变化,存在一个最佳浓度0.5%;在不同pH值下,Al_2O_3粉体悬浮液的Zeta电位不同,在碱性条件下,粉体的分散性较好,且碱性越强,分散性越好. 相似文献
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78.
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高温存储试验后某种GaAs MESFET的栅-漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅-漏极低电压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合-产生中心浓度的变化,确定肖待基势垒触有源层的复合-产生中心浓度的增加是两种漏电流增大的原因,为高温下GaAs MESFET的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据. 相似文献
80.
针对GaAsMESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了TiAl栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的经是导致器件的跨导gm、栅反向漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。 相似文献