灾后重建 标准先行

6月4日，国务院公布《汶川地震灾后恢复重建条例》，6月26日，国务院抗震救灾总指挥部总指挥温家宝总理主持召开总指挥部署22次会议，研究灾后恢复重建工作的指导意见，8月27日，国务院常务会议审议并原则通过了《汶川地震灾后恢复重建总体规划》。     

思林水电站地下厂房支护施工探讨

结合思林水电站地下厂房支护施工工程实际，对地下工程施工常用的几种支护形式进行了分析讨论。通过对思林水电站地下厂房支护形式的合理布置，控制了大跨度厂房的围岩变形，保证了地下厂房的整体稳定。     

经济危机带给机床企业的思考

2008年对我国机床行业来讲是关键的一年。从近几年的快速增长，到今年下半年的迅速下滑，成为了当前机床市场的真实写照。     

关于公路沥青混凝土路面设计现状的相关思考

公路建设是我国重要的民生工程,公路建设质量直接关系到人们的出行安全以及出行效率。公路路面是公路建设的重要组成部分,路面施工质量直接影响着整体公路工程的质量和安全,因此,为了更好地保证交通安全,必须加强公路路面建设。本文主要对公路沥青混凝土路面设计现状进行分析,并提出相应的设计措施,提高了公路路面质量。     

白蘑菇总三萜提取工艺研究

为了提高白蘑菇的利用率,进一步探明白蘑菇中的活性成分,研究了乙醇浓度、料液比、提取温度、提取时间对白蘑菇中总三萜提取量的影响。结果表明,各因素对总三萜提取量均有影响,影响的先后次序为:乙醇浓度>料液比>提取温度>提取时间。最佳提取条件为:乙醇浓度95%,料液比1∶25(g/mL),温度70℃,时间60 m in。     

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究

为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。     

超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进

通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。     

三电平PWM整流器的研究

针对三电平PWM整流器的拓扑结构进行了分析,在建立其同步旋转坐标系数学模型的基础上,设计了电压、电流双闭环控制器。保证电流内环较快的跟随性能,控制交流侧电流为畸变很小的正弦化电流,且功率因数为1;保证电压外环的抗扰性能,稳定直流侧输出电压。系统还采用基于零序电压注入的SPWM控制方法对中点电位进行控制,此方法不仅使中点电位得到有效的平衡,而且控制方法简单,鲁棒性能也强。利用上面所述方法对系统进行Matlab软件仿真分析,验证了系统控制方法的正确性,并在此基础上使用MC56F8345DSP作为主控芯片完成了硬件电路的搭建,通过实验验证了双环控制器和中点电压平衡方法的可行性和有效性。     

魔芋葡甘聚糖醚化改性产物的流变学研究

魔芋葡甘聚糖羧甲基化是其醚化改性的主要途径。本文通过改性产物浓度、介质温度和剪切速率的变化考察了羧甲基魔芋葡甘聚糖水溶胶的流变性能。实验表明,在0～100℃范围内,粘度随溶胶温度上升而下降;浓度低于0.25%时,CMKGM溶胶近似于牛顿流体,当浓度高于0.25%时,其表现为假塑性流体,且其假塑性随浓度增大更为突显;剪切速率的增大,直接导致粘度递减,且高浓度溶液受其影响更明显;静态激光散射分析表明,羧甲基魔芋葡甘聚糖分子量较原魔芋葡甘聚糖下降约16.7%,根据第二维里系数的增大和均方根回转半径的较小改变反映出羧甲基魔芋葡甘聚糖溶胶的水溶性更好,这些均为魔芋葡甘聚糖在工业上的深入开发应用提供了参考依据。