实空间转移晶体管研究进展

实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件 ,具有高频、高速、可控负阻等显著优点 ,可大大简化集成电路的复杂程度。文中阐述了实空间转移晶体管的工作原理 ,对二十年间该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结 ,对其在单器件逻辑单元、光电逻辑等领域的应用进行了重点介绍 ,并展望了今后该类器件的研究方向。     

中温固体氧化物燃料电池新型连接体材料的研制

以SUS430不锈钢粉末和具有钙钛矿结构的La0.8Sr0.2FeO3(LSF)陶瓷粉末为原料,通过粉末冶金方法制得了SUS430/LSF双层复合试样.对烧结SUS430不锈钢和LSF试样的密度和相组成进行了测试;通过氧化增重法测算了SUS430不锈钢及SUS430/LSF双层结构材料的氧化速率常数;采用四探针法对SUS430不锈钢及SUS430/LSF双层结构材料的面比电阻进行了测试;并对氧化前后材料的微观组织进行了观测.结果表明,采用本实验方法可以在烧结不锈钢基体表面制得致密的LSF涂层;在循环氧化过程中,LSF涂层与不锈钢基体结合牢固.SUS430/LSF双层结构材料在空气中于800 ℃氧化150 h后,氧化速率常数为2.81×10-15 g2·cm-4·s-1,比SUS430不锈钢降低了一个数量级以上,而其面比电阻则由SUS430不锈钢的74.65 mΩ·cm2降为15.55 mΩ·cm2.     

煤矿排水设备经济运行研究

矿井生产排水是煤炭企业确保安全生产、保证煤炭企业顺利运行的重要工作,煤矿排水设备的运行情况直接影响着煤矿的安全生产及经济效益.煤矿主排水设备是矿井的主要设备之一,也足煤矿的用电大户,其耗电量约占全矿耗电量的30%,对于涌水量较人的矿井可达50%～60%,甚至更多,所以排水设备运行的效率高低,直接影响全矿的耗电量.分析影响排水设备经济运行因素,对于节能降耗,提高排水设备运行效率具有重要意义.     

地层隔离阀作业可靠性研究

在开发后期,地层能量亏空的油井井底压力下降,造成修井和洗井作业中液体漏失的问题,在面对孔洞型或裂隙发育型储层时漏失问题更加严重.为了克服这些问题,地层隔离阀被研发出来,为了保障工具作业的可靠性,须对工具球阀密封性能和整体材料井下环境适应性做出分析.本文针对地层隔离阀球阀密封弹簧性能以及工具材料镍基合金718在井下高温高...     

片烟结构在线检测装置的设计与应用

为解决打叶复烤生产线中片烟结构无法在线检测,人工振动筛分检测方法对片烟损伤大、检测结果滞后等问题,以片烟的实际面积反映片烟结构为依据,通过对打后片烟取样和机械摊薄并采用图像采集及计算机处理系统,设计了打叶机组在线取样和片烟结构在线检测装置.应用效果表明,片烟结构在线检测装置的检测绝对误差小于2％,与振筛检测方法相比,片烟结构在线检测装置的检测时间由原来的半小时左右缩短为约10 min,检测频次由原来的每班8h检测1～2次改进为可随时反复检测；解决了传统振筛检测方法无法在线检测片烟结构指标等问题,实现了对打叶后片烟结构的在线、实时无损检测.     

航空高速双绕组无刷直流电机的建模仿真

为了研究航空高速双绕组无刷直流电机(DW-BLDCM)的工作特性和各种控制策略的合理性,利用Simulink和电气系统模块库相结合,采用模块化的方法,对DW-BLDCM调速系统进行了建模和仿真。该方法针对带斩波的脉宽调制(PWM)逆变器驱动高速DW-BLDCM建模分析的难点,将电机的数学模型与电路拓扑模型相结合,从而有效地解决了带电力电子装置的复杂电机控制仿真问题。仿真结果符合理论分析,并给出了相应的试验结果,结果验证了该方法的有效性和可行性,为航空高速DW-BLDCM伺服控制系统的设计、开发和调试提供了一个有效的平台。     

电液泵发展现状与关键技术综述

作为新的研究方向,电液泵(高度融合式一体化电机泵)融合了液压技术、电机技术、控制技术、机械学、材料学、摩擦学、传热学等学科内容,将电机和液压泵合二为一进行高度融合设计,具有体积小、噪声低、振动小、散热好等优点,具有广阔的应用前景。介绍国内外的研究进展和应用现状,对传统电机-泵组、屏蔽式电机泵和电液泵进行比较,分析现有电液泵的结构特点和实现方案,列出关键技术和需要解决的重点、难点问题,并指出具有高度融合特点的电液泵将是未来液压动力源的发展方向。     

对流扩散问题的一种紧致差分方法

针对一维含源线性对流扩散方程,本文以新的思路构造了一种无条件稳定的二阶基本差分格式,进而通过系数修正给出了一种条件稳定的三阶格式.在格式构造过程中指明了截断误差分析的局限性以及用有限差分格式构造高精度差分格式的真正困难所在,并对常见的几种差分格式从新的角度进行解释分析.数值算例表明本文方法优于以往常用的几种差分格式,且适用于对流占优问题.     

电阻栅结构负阻异质结双极晶体管

设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管．研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导；得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线；对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释；最后对此器件的应用前景进行了预测．     

AlGaAs/GaAs超薄基区负阻HBT的研制与模拟

利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显著的电压控制型负阻特性,其峰谷比可高于120.通过器件模拟分析,解释了该器件产生负阻的原因,即不断增加的集电极电压致使超薄基区穿通,器件由双极管工作状态向体势垒管工作状态转化造成的.另外,模拟结果表明器件可能具有较高频率特性(fT约为60～80GHz).