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This paper compares the results Of calculat-ing pore structure and graphing differential and integralpore size distribution by hand and Computer,and presents thatlagrangian interpolation uesd by calculating pore structure issuitable and reliable. 相似文献
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23.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
24.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
25.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
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Li Wang ping Mechanics Department Huazhong University of Science Technology Wuhan P.R.China Yeo K.S. Khoo B.C. Mechanical Production Engineering Department National University of Singapore 《水动力学研究与进展(B辑)》1999,(3)
1. INTRODUCTIONThemaingoalofthispaperistoexplorethepossibilitytolearnmoreaboutthemechanismofturbulentboundarylayerflowinteractionsanditseffectsoncompliantwallperformance.Therearecertainprerequisiteconditionstofurtherthestudyonthemechanism,i.e.theco… 相似文献
27.
基于微机的PUMA262机器人的离线编程系统 总被引:5,自引:0,他引:5
本文论述了一个离线编程系统开发的全过程,包括系统的设计和该软件的核心技术,PUMA机器人的运动学动力分析与仿真,机器人与微机的接口技术及NURBS高级曲线的路径规划方法等。 相似文献
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研制出了具有保护储层效果的无固相压井液,其基液配方为0.5%LG-1-1+0.4%LG-2+1%小阳离子+0.1%其它。此外还研究开发出了无机盐增溶剂LG-3,加入LG-3可加宽低成本无机盐的使用范围,很大程度地降低压井液配液成本和单井综合成本。该压井液密度在1.0-2.5g/cm^3之间可调,具有无固相、滤失量低、抑制性强等特点,抗温能力在120℃左右。室内性能评价结果表明,无固相压井液对高渗储层岩心的渗透率损害率平均为4.0%,对低渗储层岩心的渗透率损害率平均为2.9%,说明该体系对储层具有很好的保护效果。 相似文献