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601.
从中国建筑史写作中“厅堂”之建筑和构架类型双重涵义出发,回顾与梳理现代研究及古代文献中“厅堂”的意涵及其渊源,提出作为构架类型的厅堂并非《营造法式》的原意,而是来自现代建筑史学者的诠释;并指出,以19世纪末20世纪初知识体系转型为条件发展起来的关于中国建筑的“结构”话语,使作为构架类型的“厅堂”成为可能;也正是这一新的知识生产条件与《营造法式》时代间的断裂,及两者被容纳于同一词语中的状态,造成了词语的“分裂”. 相似文献
602.
忆阻器突触可用于构建神经形态系统,进行类脑计算,而透明突触器件则有利于光电协同调控.本研究首次采用CuS薄膜作为电极,构筑了CuS/ZnS/ITO透明忆阻器,器件表现出稳定的忆阻性能与良好的均一性,在可见光范围内透过率高达82%.通过与Cu制电极的器件比较,采用CuS制电极可以抑制Cu离子向ZnS介质层中大量迁移,有利... 相似文献
603.
湿法氧化工艺对VCSEL器件性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在精确控制气体流量、温度等条件下对样品进行了湿法氧化实验.在SEM下观察了高铝氧化层的微观结构.讨论了高铝氧化限制层中氧化产物体积收缩产生的多孔结构对氧化反应的作用,以及收缩应力对有源区的影响.分析了氧化后器件串联电阻变大的原因.综合考虑这些因素,结合器件结构优化氧化层的设计,制备出了阈值电流低的、性能优良的VCSEL器件. 相似文献
604.
605.
抑制二次电子发射方法的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
电介质和金属表面被激发出来的二次电子(Secondary electron emission,SEE)可以显著地改变该表面附近的电势分布和通量.在一些情况下,如电子束焊机、扫描电子显微镜、透射式电子显微镜、电子衍射仪、俄歇电子能谱仪、电子倍增管等应用中,二次电子的次级倍增效应得到很好的应用.然而在另一些情况下,例如射频放大器、粒子加速器和霍尔推进器、电子真空管、空间宇宙飞行器表面等应用中,二次电子会对仪器产生不利的影响.因此,抑制二次电子发射及研究减少二次电子产额(Secondary electron yield,SEY)是非常有意义的.现有的抑制二次电子发射的研究方法有外加偏置场法和表面处理法,其中通过外加电场或磁场来抑制二次电子的激发会对入射束流、束斑产生不利影响,因此表面处理法更具优势.表面处理法主要分为三类:表面陷阱构造(矩形以及三角形的凹槽、微孔结构、纤维结构、泡沫结构等)、表面镀膜(石墨烯膜、TiN膜等)、表面束流处理(激光刻蚀、磁控溅射法).这些抑制二次电子激发的方法主要为了达到两个目的,一是减少物体表面的真二次电子的发射,二是捕获发射的二次电子,使之不能逃逸.本文总结了一些抑制二次电子激发的方法,比较不同方法或不同影响因素对二次电子的影响. 相似文献
606.
目的分析广西市售婴儿食品中的克罗诺菌分离株的种类、表型和基因特性。方法将保存的试验菌株进行复苏,通过API 20E生化条和omp A基因扩增检测进行初步鉴定,扩增16S r RNA基因后进行测序,将获得的全16S r RNA基因序列在Gene Bank数据库上比对,构建进化树,确认是否为克罗诺菌。将试验菌接种于显色平板观察其表型和黄色素的产生情况,通过手工生化进行分型,确定其种属。结果 9株分离菌确定为克罗诺菌,有5种生化型,属于4个克罗诺种。检出Cronobacter sakazakii 6株菌,C.malonaticus、C.muytjensii和C.dublinensis各有1株;7株菌符合API 20E鉴定结果,9株分离菌均可检测到omp A基因。结论广西市售婴儿食品中克罗诺菌的污染以C.sakazakii为主,生化表型、种属及基因型具有多样性;鉴定时仅以单一的生化或其他表型作为判别依据存在很大的局限,需辅以分子生物学手段加以鉴别。 相似文献