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101.
陈小莹  于宗光  雷淑岚  周昱  印琴  庞立鹏 《微电子学》2015,45(2):245-248, 257
针对在40 Gb/s以太网规范中定义的循环冗余校验码(Cyclic Redundancy Code,CRC)计算关键路径过长的问题,提出了一种分块处理的方法来缩短每条关键路径的计算时间,从而满足时序的要求。对电路进行仿真,并使用中芯国际65 nm工艺库进行综合。验证结果表明,提出的分块并行计算方法正确,并且能够提高CRC计算速度,满足时序要求。  相似文献   
102.
集成电路市场及经营模式的分析与探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
于宗光 《半导体技术》2003,28(9):7-12,21
在分析全球集成电路形势的基础上,对通信、消费类电子、化合物半导体IC、MCU、Flash memory等IC市场进行了探讨。论述了IDM和Fabless、Foundry三种经营模式的特点与前途,并对我国集成电路产业的前景及发展模式进行了展望。  相似文献   
103.
本文分析了高压模拟/I~2L兼容工艺的特点,着重介绍了一种采用介质隔离高压模拟/I~2L兼容工艺的用户线接口电路的特点、工作原理、版图设计与工艺特点,电路内部含有二-四线转换,检测用户摘挂机功能以及过压、过流保护功能,电路可承受70V以上的高压。采用薄膜电阻,使得匹配电阻精度大大提高,改善了电路的性能。  相似文献   
104.
TiSi2膜的制备及性质   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   
105.
106.
107.
最近几年,半导体行业波动较大,但Fabless和Foundury两种模式总体上数量和规模都在扩大,而IDM却在分化,重新考虑经营策略和自己的定位问题,并逐步向Fabless和Foundury模式转化。中国半导体行业目前的发展模式正好顺应了世界潮流,其前途非常光明。  相似文献   
108.
本文介绍两种适合于高频 CMOS 模拟电路的 ESD 保护结构,即用于模拟电路的 ESD保护结构和集总(all-in-one)ESD 保护结构。模拟 ESD 保护结构用于保护模拟输入和输出端,适合于电流模式、高频和高分辨率电路。集总 ESD 保护结构适合于高速、射频和混合信号集成电路。  相似文献   
109.
相位量化器专用芯片于宗光,徐爱华,王冠仁,许居衍(华晶电子集团公司中央研究所,无锡,214035)孟令杰,魏同立(东南大学,南京,210096)ApplicationSpecializedChipsforPhaseQuantizing¥YuZongg...  相似文献   
110.
基于Dickson电荷泵结构,提出了一种适用于反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)的新型高效电荷泵电路,实现了电荷泵的快速启动。通过采用时钟信号升压电路,减少了电荷泵级数,并减小了电路总体面积和功耗。仿真结果显示,在2.5 V的工作电压和整体电路全负载的条件下,整体电路的启动时间约为20μs,可稳定输出电压5.46 V,工作电流约为618μA。采用0.18μm CMOS工艺流片并对其进行编程和测试,结果显示FPGA电路编程成功,功能正确,与仿真结果一致,表明了此电荷泵结构的可行性和实用性。  相似文献   
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