首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   328篇
  免费   17篇
  国内免费   27篇
电工技术   19篇
综合类   20篇
化学工业   79篇
金属工艺   8篇
机械仪表   21篇
建筑科学   19篇
矿业工程   26篇
能源动力   4篇
轻工业   11篇
水利工程   7篇
石油天然气   11篇
武器工业   3篇
无线电   84篇
一般工业技术   10篇
冶金工业   28篇
自动化技术   22篇
  2024年   1篇
  2023年   9篇
  2022年   9篇
  2021年   3篇
  2020年   3篇
  2019年   15篇
  2018年   11篇
  2017年   4篇
  2016年   4篇
  2015年   9篇
  2014年   29篇
  2013年   10篇
  2012年   12篇
  2011年   9篇
  2010年   13篇
  2009年   17篇
  2008年   8篇
  2007年   18篇
  2006年   21篇
  2005年   19篇
  2004年   12篇
  2003年   19篇
  2002年   13篇
  2001年   11篇
  2000年   7篇
  1999年   9篇
  1998年   19篇
  1997年   9篇
  1996年   4篇
  1995年   6篇
  1994年   5篇
  1993年   3篇
  1992年   4篇
  1991年   2篇
  1990年   6篇
  1987年   2篇
  1986年   2篇
  1985年   3篇
  1984年   3篇
  1983年   4篇
  1982年   2篇
  1981年   3篇
排序方式: 共有372条查询结果,搜索用时 93 毫秒
91.
以3,3,3-三氟-1-氯丙烯(HCFC-1233zd)为原料,合成制得三氟丙烯基甲醚。筛选出甲醇及氢氧化钠作为较好的亲核试剂及碱试剂,考察了物料比及其加热方式对反应收率的影响,得到较佳反应条件:反应温度5070℃,甲醇与HCFC-1233zd的摩尔比为3,NaOH与HCFC-1233zd的摩尔比为1.5,该条件下反应收率72%。在较佳条件下,进行了10L及100L放大反应研究,收率与小试相当。  相似文献   
92.
针对航空飞机上应用的具有管板接头结构的散热器,利用ANSYS软件,建立二维模型,对1Cr18Ni9Ti不锈钢散热器分别按"直接加热"和"分阶段加热"两种电子束钎焊工艺钎焊的温度场和应力场进行了有限元分析。结果表明,采用分阶段加热钎焊工艺时,获得了均匀的钎焊面温度分布,钎焊面大部分区域的温度在1042~1051℃之间,且在钎焊温度范围之内;对于径向残余应力,采用直接加热钎焊时,钎焊面上出现明显的应力集中区域,而采用分阶段加热钎焊,钎焊面上没有应力集中区出现;对于周向残余应力,分阶段加热钎焊的拉应力峰值较直接加热钎焊减小了11.2%;两种钎焊工艺的周向残余应力的拉应力峰值都大于径向残余应力的拉应力峰值,说明钎焊面的危险部位沿圆周方向。  相似文献   
93.
茶多酚乙醇水溶液提取过程及搅拌槽放大规律   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了茶多酚乙醇水溶液提取过程中各因素对提取率的影响,确定最优工艺条件为乙醇质量分数50%,溶剂用量7ml/g,提取温度60℃,提取时间35min。通过冷、热模放大实验得出,茶多酚提取为内扩散过程,按临界悬浮转速放大是比较理想的放大方法。  相似文献   
94.
王哲  亢宝位  吴郁  程序 《半导体学报》2001,22(6):760-764
针对目前GAT(GateAssociatedTransistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个  相似文献   
95.
针对目前GAT(GateAssociatedTransistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个  相似文献   
96.
低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真   总被引:7,自引:5,他引:2  
吴郁  陆秀洪  亢宝位  王哲  程序  高琰 《半导体学报》2001,22(12):1565-1571
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 FSIGBT更适合于实际生产  相似文献   
97.
王哲  亢宝位  吴郁  程序 《半导体学报》2001,22(6):760-764
针对目前 GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题提出一些新的结构改进设想 ,包括改变栅区掺杂浓度以及平面版图设计 ,并对此进行了仿真研究 .结果证明可将最大集电极电流提高到 2 .1倍 ,而对其他特性无明显不良影响  相似文献   
98.
充填采煤技严格的来讲属于煤炭开采过程中一种绿色开采技术。本文以针对充填采煤技术发展历史作为基本的出发点,对我国煤炭开采行业采用综合机械化来实施充填采煤技术的关键技术突破进行了简要的分析,并对充填采煤理论与技术未来的发展进行了探讨。  相似文献   
99.
苯酚-TMP/异氰酸酯封端反应速率常数的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
张春华  亢茂青 《化学世界》1997,38(11):594-597
本文对TMP/MDI及TMP/TDI两种加成物进行了封端反应,探讨了温度、催化剂及原料对纣端反应速率常数的影响。实验结果表明:高温对TMP/异氰酸酯加成物的封端反应有利;催化剂量越大,反应速率常数越大;TMP/MDI的封端反应这率常数比TMP/TDI大,这可能是由于空间位阻所引起。  相似文献   
100.
介绍了A1TiC晶粒细化剂的发现、发展以及它较好的性能;昆明冶金研究院产业化开发的项目来源、依据、目标,已经开展的工作;以自行研制的A1TiC在数家铝厂的实际应用结果以及产品市场经济分析,说明了该工作最终产业化完成后良好的经济、社会效益前景.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号