如何确保塔式起重机使用安全

文章主要对在建筑施工中如何确保塔式起重机使用安全问题进行探讨。     

2008年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议评述

综述和评论了在第20届IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议会议上发表的一些主要成果和进展,其中对一些重点成果还补充了往年的研发情况和发展经历,希望能帮助读者大致上了解当前功率器件和功率集成电路研发的典型状况和最新信息。     

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真研究

本文首次对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真。这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题。论文重点对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较。仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能。     

sun这一年

经历了六年的低谷后,Snu正在重新回到快车道。温和而儒雅的舒瓦茨给Sun带来了完全不同的策略和行事风格——更加彻底的开源、与多家竞争对手的结盟、对Web2.0和社区的持续关注,让Sun这家20多年的公司焕发出新的活力。     

高压半导体功率器件的寿命控制工程述评

对应用于高压功率器件的寿命控制技术进行了述评。着重分析了高能H^ 辐照、He^2 辐照等局域寿命控制技术，利用这种技术有可能实现高压功率器件突破性的进展。     

一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

采用优化的腐蚀工艺对TiSi2接触特性的改善

针对传统TiSi_2工艺中RCA1(NH_4OH:H_2O_2:H_2O)溶液对于TiN/Ti与TiSi_2的选择性不好会造成硅化物的损失、提高接触电阻的问题,提出一种采用2次选择性腐蚀的工艺方法进行改善.通过具体的工艺实验证明,与传统工艺方法相比,该工艺方法可以在保持低漏电流的前提下,有效减少TiSi_2的损失,使得方块电阻降低约18%.该工艺方法具有简单易行的特点,适用于大规模工业生产.     

史玉柱的回归

3年的时间将巨人网络打造成中国市值最大的网游企业,史玉柱以这种近乎完美的方式回归了IT。11月1日,巨人网络公司(NYSE:GA)董事会主席史玉柱敲响了美国纽交所的上市钟声,成立3年的巨人网络(www.ztgame.cn)以超出发行价18%的18.25元的开盘价格登陆纽交所。按当天股价计算,巨人网络总市值突破50亿美元,超过盛大(www.shanda.com.cn)成为中     

内透明集电极IGBT（ITC-IGBT）与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较

首次对600 V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较.ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果.仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT.说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径.     

横向电阻区对IGBT过电流关断能力的影响研究

针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)在过电流关断测试中被烧毁的问题,设计了三种不同的横向电阻区结构。为了分析器件的失效机理,研究不同结构横向电阻区对过电流关断能力的影响,借助Sentaurus TCAD仿真工具构建了器件模型,模拟了器件的整个过电流关断过程。对三种结构器件在过电流关断过程中的内部关键物理参量的变化情况进行分析,发现不同长度的横向电阻区对空穴的抽取效率不同,进而可以影响到电流密度分布。当电阻区增加到一定长度时,可以有效提升过电流关断能力,避免器件烧毁失效。