多道能量分析器电子轨迹分析

用数值计算方法研究多道探测XPS的半球形能量分析器的性质，得到边缘场的电位分布和电子轨迹。作为计算模型的EA－11型分析器，被证明适合于多道探测的应用。     

氧化锌纳米薄膜材料的制备及AES,XPS研究

利用直流气体放电活化反应蒸发方法制备了ZnO纳米薄膜，运用多种分析手段（AES，XPS，SEM，XRD等）研究了ZnO纳米薄膜的表面形貌、组成、结构以及表面性质，讨论了ZnO纳米薄膜的AES和XPS谱线宽度与粒径之间的关系，解释谱线加宽的基本原因。     

离子激发俄歇发射强度和离子能量关系的研究

实验研究了Al、Si样品的离子激发俄歇发射现象,测定了类原子信号强度和入射Ar~ 离子能量的关系曲线。基于目前普遍接受的退激发观点,即类原子信号源自溅出的受激原子在体外退激发的过程。提出了一个类原子信号强度和入射离子能量的关系表达式,它和实验结果符合良好。在该表达式和实验数据的拟合中,可以求得Al和Si离子激发俄歇发射的阈值分别为350eV和790eV,和近期发表的结果符合良好。     

一种新的功函数测量法

一、前言功函数是表面现象研究中一个重要的参数,目前已有多种测量方法〔1〕。但是要在超高真空条件下,对样品表面进行具有相当空间分辨率的功函数测量,仍是一项十分困难的工作。本文将介绍一种利用二次电子低能峰上升沿(以下简称上升沿)和功函数有关的原理来测量功函数的方法。用现成的俄歇谱仪不作改动或略作改动即可进行测量。如果俄歇谱仪具有电子束扫描功能,则还能达到一定的空间分辨率〔2〕。对于扫描电镜,如果配备上电子能量分析器,也能同样实现功函数测量〔3〕。     

SiO_2/Si表面电子谱的因子分析法研究

用因子分析法在扫描俄歇微探针（SAM）上研究了SiO2／Si的俄歇深度剖面分析。采用Ar＋离子刻蚀SiO2／Si样品，分别采录具有高表面灵敏度和化学态灵敏度的低能SiLVV俄歇跃迁和OKLL俄歇跃迁。用因子分析法可得到一致的结果：SiO2／Si界面上存在中间过渡化学态SiOx（0＜x＜2），以及SiO2经Ar＋离子刻蚀后产生少量（约10％）的SiOx及相当一部分（约30％～50％）的SiO2的另一状态SiO2*。     

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题，内容包括：俄歇电子发射、表面灵敏性，俄歇电子谱的测量，定性和定量分析，深度剖析等，最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展，功函数测量，材料结构性能量和电子态密度测量。     

俄歇电子谱术(续)

5　俄歇电子谱术的应用5 .1　定性分析[8]定性分析的目的是根据测得谱的位置和形状以识别元素种类。常用的方法是根据测得的峰的能量(在微分谱中以负峰为准 )与标准的《手册》[8,16 ] 进行对比。以下以微分谱为例进行说明。标准图谱手册提供各元素的主要俄歇电子能量图和标准俄歇谱图 ,给出各元素的俄歇峰的出峰位置、形状和相对强度。在定性分析中 ,同时采用上述两种图谱 ,将使分析工作变得快捷。定性分析的步骤[8] :(1)首选一个或数个最强峰 ,利用主要俄歇电子能量图 ,确认数个可能的元素。然后利用标准俄歇图谱进一步对这几种可能元素进…     

六硼化镧阴极的失效分析

利用PHI-590 SAM对失效的LaB_6阴极进行分析,结果表明,失效原因是碳和氧的严重侵害和镧原子相对于硼原子的不足。由于碳、氧的污染,使LaB_6表面的功函数增加,降低了阳极热电子发射能力。碳污染的可能途径为来自工作环境的汽相污染和阴极组件构成物(石墨)在使用温度下的表面扩散。     

铬在晶界的选择性氧化

利用扫描俄歇微探针研究了氧化过程中Ni—Cr合金的表面氧化行为。经过600℃、20min的氧化后,作为选择性氧化的结果,Cr和Ni分别在晶界和晶面上以它们的氧化物形式产生富集。较小的氧化铬生成热使铬在晶界区的氧化竞争中得以占先;而晶界为铬的向表面扩散提供了通道;氧化铬的生成,使可扩散铬原子浓度梯度增加,它有利于这种扩散过程的加快。本研究为Ni—Cr合金表面形成抗氧化防腐蚀的氧化铬层提供了理论依据。     

真空名词术语简介(二)

真空镀膜技术真空镀膜就是在真空环境下,采用各种物理、化学的方法使待镀材料呈原子、分子、离子或粒子团等状态沉积到某一固体(称为基板或衬底)表面上凝聚成膜的一种过程。真空镀膜是一种最重要的薄膜制造技术。它能镀制薄膜的材料最为广泛,又能在各种各样固体的表面上生长成表面粘附良好的薄膜。制得的薄膜纯度高,薄膜的组分、生长速率和厚度在镀制过程中可进行控制,以及应用最为广泛。真空蒸发和溅射现象早在1857年和1902年分别由法拉第(Faraday)和戈德斯坦(Gol-