双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深研究

本文着重研究双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深规律.在理论上导出了p-n结的结深表达式:在一定的温度下,结深与氧化热处理时间的平方根成正比;并且与p型和n型杂质的掺杂比v有关,随着v增大,结深减小,实验结果与该式反映的规律基本吻合.     

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5％之内;掺杂精度高,能够准确地达到所要求的浓度。近年来,Ⅲ-V族化合物半导体的中子嬗变掺杂亦有报道。1971年Miriashvili等人首先报道了GaAs的中子嬗变掺杂。在这之后,一些作者进一步研究了热中子辐照GaAs的原理、特点和它的应用。1982年在美国马里兰举行的第四届国际NTD会议上也报道了这方面的内容。     

GaAs材料应用的前景

本文从 GaAs 材料的基本特性出发,阐述了 GaAs 材料应用迅速发展的原因;综述了各类新型 GaAs 器件和电路的研制现状,并预计了 GaAs 材料应用的发展前景。     

双掺硅单晶基本物理特性的研究

按一定掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点.本文研究了这种双掺硅单晶的基本物理特性;测量了各种电学参数和进行了位错等晶体缺陷的金相观察,并将这种材料与单掺杂硅单晶的某些电学性质进行了比较.     

GaAs中子嬗变掺杂初探

<正>在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中子嬗变掺杂(简称NTD)硅已经得到广泛应用.近来,GaAs等化合物半导体材料的中子嬗变掺杂亦有报导.     

一种获得P~ P结构的方法

众所周知,在热氧化时半导体中的杂质分布会有改变,受主杂质硼和镓也不例外.按照文献[1] 给出的公式可以计算热氧化后硼和镓在硅中的浓度分布.所用公式是:     

全国电子能源材料、信息材料学术讨论会在天津召开

<正>全国电子能源材料、信息材料学术讨论会于1986年6月3日至5日在天津召开.来自全国各高等院校、研究所和工厂的代表共103人,交流论文70篇.国内一些知名的材料专家参加了会议并作了学术报告.电子部及元器件局的有关领导陈兴信、吴康生等出席了会议.中国电子学会理事、电子材料学会主任委员宋秉治主持了会议.在全体会议上,浙江大学教授阙端麟作了题为“硅中非金属杂质”的报告,中国科学院半导体研究所梁骏吾和有色金属研究院副院长万群分别作了“硅单晶中杂质与缺陷和生长工艺的关系”和“信息材料及其发展”的报告.在大会上报告的还有“化学试剂与微电子化工材料”、“硅太阳能电池材料”、“电子功能陶瓷材料的现状及展望”和“电子材料标准化概况问题与建议”等.这些特邀报告详细评述了国际、国内电子材料近年来取得的最新进展和电子材料今后的发展趋势;强调了材料科学与工艺的发展对整个电子工业进步的重要作用.     

光化学工艺在光刻、制版中的应用

光化学表面加工是近年来开发的新方向,从七十年代末,八十年代初起步,经过几年来许多研究人员的潜心研究,即将登上工业舞台.在光刻工艺中,光化学微细加工的目标是实现0.25微米的光刻,为下一代VLSI提供一种简便的、快速的和耗资少的光刻工艺.它很可能是替代x-射线、电子束或离子束工艺的新一代光刻工艺技术.另外,光化学工艺还可发展成为一种激光直写工艺,这种工艺对于高精度修版,整片规模集成和电路原型设计都是十分有用的.