双掺硅单晶及其P-N结研究

按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶。单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点。本工作对P-N结形成的规律进行了理论和实验研究,结果十分吻合。对P-N结的基本特性和光学性能的研究说明:这种双掺硅形成的P-N结有可能用于制作光电器件、集成电路、太阳能电池和某些特殊器件。结果还有助于对硅表面反型的机构及界面问题的进一步认识。这项研究工作还提供了一种新的获取P-N结的工艺方法,这种方法在制造某些器件和集成电路时,工艺将大为简化。     

双掺硅单晶及其P-N结研究

<正>按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热氧化或惰性气体中热处理,可以在其表面获得P-N结.这种P-N结具有下述特点:(1)可重复地得到大面积、均匀的浅结,P-N结结深最浅可以控制在0.1微米以下,甚至百埃(?)数量级.(2)表面是n型低浓度区,体内是P型高浓度,与扩散结、离子注入结和合金结的浓度分布不同.     

器件热特性的初步分析

本文阐述了红外辐射测温的物理基础。利用RM—50型红外显微热象仪观察了台面型结构的微波二极管、双极型功率晶体管的热象图,并初步探讨了热象图中的一些现象。     

双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深研究

本文着重研究双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深规律.在理论上导出了p-n结的结深表达式:在一定的温度下,结深与氧化热处理时间的平方根成正比;并且与p型和n型杂质的掺杂比v有关,随着v增大,结深减小,实验结果与该式反映的规律基本吻合.     

宽势阱半导体光电器件研究

设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。     

双掺硅单晶基本物理特性的研究

按一定掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点.本文研究了这种双掺硅单晶的基本物理特性;测量了各种电学参数和进行了位错等晶体缺陷的金相观察,并将这种材料与单掺杂硅单晶的某些电学性质进行了比较.     

聚合物半导体PAn表面场效应管

本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。     

纳米硅异质结二极管

在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。