PECVD SiC材料刻蚀技术

通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.     

PECVD SiC材料刻蚀技术

通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀（RIE）和电感耦合反应离子刻蚀（ICP）实验研究，提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀，并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响. 进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响，同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.     

41 ^11C（p，g）^12N的核天体反应率以及^3He至CNO的转换

核合成链^3He（a，γ）^7Be（a，γ）^11C（p，γ）^12N到CNO循环可能是另外一条途径替代^3He经由3^4He→^12C到CNO。这一点在某些特定的天体环境中显得很重要，例如贫金属的大质量星。其作用的大小，决定于它所包含的核反应的反应率，其中重要的是^11C的质子俘获反应与其β衰变的竞争。^11C（p，γ）^12N的直接俘获的核天体S因子在我们以前的工作中用实验进行了测量。     

电动机节能潜力分析及能效评价试验

针对当今世界节能形势与要求,阐述了节约能源,提高电动机能效的意义与潜力,并介绍了中小型三相异步电动机能效试验。     

小角Ｘ射线散射模糊数据解析方法

小角Ｘ射线散射（ＳＡＸＳ）是研究多孔材料结构的一种有效方法，可得到孔径分布、平均孔径、比表面、界面层厚度、分形维数等许多微结构住处、ＳＡＸＳ理论公式基于点状光源（针孔准直），但实践中则大多采用长狭准直条件，简要综述了ＳＡＸＳ在长狭缝准直条件下直接应用模糊强度进行煤、炭、干凝胶、分子筛等多孔材料结构解析的方法，并与针孔准直进行了对比。     

建立适合靶场环境的计算机训练网络

从开发技术部网络训练系统的实际经验出发，对武器试验靶场开展网络化训练的必要性作了较为深入的分析，并从网络结构、功能设计以及开发应注意的事项等多方面作了精辟的论述。     

陶瓷刚玉磨具制造及其磨削应用

本文较详细地介绍了陶瓷刚玉磨料的磨具制造技术和磨削应用情况，并对这类磨具的制造和选择应用提出了一些重要原则。     

成组技术在数控加工中的应用

成组技术与数控加工技术都是从本世纪 5 0年代发展起来的。这两种技术虽然已并存了几十年 ,但是关于它们之间的关系 ,在相当长时间内 ,却未引起人们的足够重视 ,直到近年来 ,才开始重视和进行这方面的研究。本文就数控加工中如何应用成组技术问题进行一些粗浅的探讨。     

煤及半焦X射线衍射原子分布函数解析程序

应用FORTRAN5．1编制了煤及半焦X射线衍射原子分布函数解析程序，可以解析长程无序而短程有序的结构，得到原子间距、配位数、有序度等结构信息．该程序实现了数据处理与图形显示一体化．简述了该程序的基本结构、功能和特点，并进行了例证分析．     

小角X射线散射方法测定二氧化硅干胶凝的平均孔径

提出了当多孔体系的小角X射线散射不遵守Porod定理的情况下，应用Debye法（相关函数法）和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算它们的平均孔径的方法。对不同制备条件下部分二氧化硅干胶凝的测试，取得了比较一致的结果，并与氮气吸附法测定结果进行了对比。