纳米微孔结构乳胶粒子的制备

纳米微孔(多孔、中空)结构乳胶粒子具有吸附、携载的功能,被广泛地应用于吸附剂、非均相催化剂、各类载体等领域。本文选用亲水性较强的AA为原料聚合单体,以P(St-BA)二元共聚物乳胶作种子乳液,通过乳液聚合方法,首先制备了表面含羧基的核壳结构乳胶粒子体系P(St-BA-AA),然后采用酸碱分步处理法,在高温条件下进行酸碱处理,得到了纳米尺寸的微孔结构乳胶粒子。通过TEM观察其内部形成的微孔结构形态,并探讨了酸碱处理时间等因素对成孔的影响。     

空心阴极真空电弧焊接工艺及熔化特性分析

设计加工了空心阴极真空电弧焊枪,以Q235钢为例,试验研究了工艺参数对空心阴极真空电弧焊接熔化深度的影响规律,分析了熔化特性.结果表明,与TIG焊接接头相比,空心阴极真空电弧焊缝熔化深度显著增加,热影响区窄;空心阴极真空电弧在低气体流量、大电流时具有收缩型电弧形态;低气体流量时空心阴极真空电弧电压较高;随着气体流量的降低及焊接电流的增加,空心阴极真空电弧的焊缝熔化深度、宽度及深宽比增加,焊缝表现为深熔化特征的中心熔化型焊缝形貌;一定气体流量下,阴极与阳极之间的放电距离对空心阴极真空电弧焊缝熔化深度的影响不显著.     

包装印刷课程教学改革研究

本文分析了包装印刷课程的要求、课程内容构成和特点以及其教学实践方面的内容,重点阐述了该课程教学改革方面的内容,包括传统教学与计算机辅助技术教学相结合,以学生为中心、教学互动,突出教学实践,提高动手能力,从注重理论教学向注重实践教学转变。此外,还探索了包装印刷课程的考核方法的改革。     

胶印机印刷压力控制分析与研究

以不走肩铁型平版胶印机为研究对象,提出了滚筒包衬计算方法与滚筒中心距调节方法,得出胶版印刷中印刷压力影响因素主要表现为纸张表面质量和平滑度、印刷速度、滚筒橡皮布和衬垫的选用等;印刷压力的控制主要为调节包衬和中心距;对文中研究的不走肩铁型胶印机来说,在调节印刷压力时,齿轮啮合保证接近标准啮合状态等结论,为印刷压力的控制调节提供了一定的技术支持。     

一种基于区分矩阵的属性约简算法

属性约简是粗糙集理论研究的关键问题之一。文章以属性在区分矩阵中出现的频率作为启发,对HORAFA算法做了一些改进。它是以核为基础,加入属性重要性最大的属性,直到不能再加。为了能找到信息系统的最优约简,在此基础上加了一个反向消除过程,直到不能再删为止。最后通过一个实例完整演示了该方法,证实其有效性。     

基于神经网络的股票中期预测

本文给出了一种基于BP神经网络的股票市场建模、预测以及决策方法.应用神经网络进行股票中期预测,输入数据的复杂性给网络训练效率和预测精度造成了显著的负面影响.我们应用模糊曲线分析法进行了输入变量的筛选,该方法主要是用来压缩输入数据的维度,发现影响产出变量的重要因素.它通过求相关度,贡献弹性,根据样本点拟合样本曲线,最后选取出影响变量的重要因素.结果表明,经该方法处理后的数据输入神经网络不仅减少了输入数据量,使训练时间减少,运算速度提高,而且预测精度有了明显的改善.     

钢芯铝绞线用镀锌钢丝

钢芯铝绞线用镀锌荊丝是制造远距离高压输电用钢芯铝绞线不可缺少的重要配套材料。鞍钢生产钢芯铝绞线用镀锌钢丝已经有二十多年历史了。短年生产量力1000～1500吨。产品性能优良,质量稳定。实物质量已经达到国际电工协会     

电-磁场协同增强高功率脉冲磁控放电特性研究北大核心CSCD

研究电-磁场协同增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术的放电特性。利用数字示波器采集Hi PIMS的基体离子电流用于表征其放电特性的变化。结果表明:当Hi PIMS电压由580增加到660 V时,随励磁线圈电流的增加,基体离子电流平均值单调增加;随辅助阳极电压的增加,基体离子电流平均值单调增加;随辅助阳极在真空室内的位置由与阴极靶成45°位置处变化为成180°位置处时,基体离子电流平均值单调减少。电-磁场协同增强Hi PIMS放电效应存在临界条件。当Hi PIMS电压为580 V、励磁线圈电流为4 A。仅阳极电压大于50 V时,电场和磁场产生协同增强放电效应。同时,当辅助阳极电压为70 V,仅励磁电流大于3 A时,电场和磁场产生协同增强放电效应。与常规Hi PIMS相比,电-磁场协同增强Hi PIMS放电时真空室内不同位置处收集的离子束流均显著增加。其中,当辅助阳极位于45°位置处时,在真空室内不同位置(与阴极靶成0°、45°、90°、135°以及180°位置)处的离子束流值最大。     

不同靶基距下凹槽表面HIPIMS法制备钒膜的微观结构及膜厚均匀性

目的研究不同靶基距对高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)在凹槽表面制备钒膜微观结构和膜厚均匀性的影响,实现凹槽表面高膜层致密性和均匀性的钒膜制备。方法采用HIPIMS方法制备钒膜,在其他工艺参数不变的前提下,探讨不同靶基距对凹槽表面钒膜相结构、表面形貌及表面粗糙度、膜层厚度均匀性的影响。采用XRD、AFM及SEM等观测钒膜的表面形貌及生长特征。结果随着靶基距的增加,V(111)晶面衍射峰强度逐渐降低。当靶基距为12 cm时,钒膜膜层表面粗糙度最小,为0.434nm。相比直流磁控溅射(DCMS),采用HIPIMS制备的钒膜呈现出致密的膜层结构且柱状晶晶界不清晰。采用HIPIMS和DCMS方法制备钒膜时的沉积速率均随靶基距的增加而减少。当靶基距为8 cm时,采用HIPIMS方法在凹槽表面制备的钒膜均匀性最佳。结论采用HIPIMS方法凹槽表面钒膜生长的择优取向、表面形貌、沉积速率及膜厚均匀性均有影响。在相同的靶基距下,采用HIPIMS获得的钒膜膜厚均匀性优于DCMS方法。     

复合高功率脉冲磁控溅射技术的研究进展

高功率脉冲磁控溅射技术(HIPIMS)是一门新兴的高离化率磁控溅射技术.概述了HIPIMS的技术优势,包括高膜层致密度和平滑度、高膜基界面结合强度以及复杂形状工件表面膜层厚度均匀性好等.同时归纳了HIPIMS存在的问题,包括沉积速率及低溅射率金属靶材离化率低等.在此基础上,重点综述了近年来复合HIPIMS技术的研究进展,其中复合其他物理气相沉积技术的HIPIMS,包括复合直流磁控溅射增强HIPIMS、复合射频磁控溅射增强HIPIMS、复合中频磁控溅射增强HIPIMS、复合等离子体源离子注入与沉积增强HIPIMS等;增加辅助设备或装置的HIPIMS,包括增加感应耦合等离子体装置增强HIPIMS、增加电子回旋共振装置增强HIPIMS,以及增加外部磁场增强HIPIMS等.针对各种形式的复合HIPIMS技术,分别从复合HIPIMS技术的放电行为、离子输运特性,及制备膜层的结构与性能等方面进行了归纳.最后展望了复合HIPIMS技术的发展方向.