全文获取类型
收费全文 | 3492篇 |
免费 | 180篇 |
国内免费 | 175篇 |
专业分类
电工技术 | 189篇 |
综合类 | 313篇 |
化学工业 | 433篇 |
金属工艺 | 160篇 |
机械仪表 | 165篇 |
建筑科学 | 366篇 |
矿业工程 | 172篇 |
能源动力 | 116篇 |
轻工业 | 420篇 |
水利工程 | 205篇 |
石油天然气 | 184篇 |
武器工业 | 20篇 |
无线电 | 331篇 |
一般工业技术 | 259篇 |
冶金工业 | 140篇 |
原子能技术 | 62篇 |
自动化技术 | 312篇 |
出版年
2024年 | 24篇 |
2023年 | 101篇 |
2022年 | 101篇 |
2021年 | 83篇 |
2020年 | 91篇 |
2019年 | 119篇 |
2018年 | 118篇 |
2017年 | 52篇 |
2016年 | 79篇 |
2015年 | 96篇 |
2014年 | 189篇 |
2013年 | 132篇 |
2012年 | 176篇 |
2011年 | 132篇 |
2010年 | 129篇 |
2009年 | 146篇 |
2008年 | 131篇 |
2007年 | 173篇 |
2006年 | 128篇 |
2005年 | 175篇 |
2004年 | 151篇 |
2003年 | 105篇 |
2002年 | 89篇 |
2001年 | 98篇 |
2000年 | 93篇 |
1999年 | 111篇 |
1998年 | 87篇 |
1997年 | 84篇 |
1996年 | 82篇 |
1995年 | 79篇 |
1994年 | 72篇 |
1993年 | 58篇 |
1992年 | 57篇 |
1991年 | 70篇 |
1990年 | 58篇 |
1989年 | 46篇 |
1988年 | 26篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 21篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 2篇 |
1977年 | 2篇 |
1964年 | 2篇 |
1963年 | 2篇 |
1956年 | 2篇 |
排序方式: 共有3847条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
992.
试验确定门槛值是最常用和最基本的方法,裂纹闭合使其准确性受到质疑。文中总结基于试验数据确定门槛值的方法,依据高低压一体化转子材料的疲劳门槛值试验和疲劳裂纹稳定扩展数据,对不同确定方法进行比较。结果发现高压端(high-pressure zone,HP)门槛值比低压端(low-pressure zone,LP)大,最大载荷法、简易方法和近似公式确定的门槛值偏大,而由Paris公式直接外推所得门槛值过小,近似公式计算的门槛值准确性不高。通过分析晶粒尺寸对裂纹扩展路径的影响,认为高压端与低压端门槛值不同是由于裂纹闭合程度不同引起的,粗糙度诱发裂纹闭合占主导作用。 相似文献
993.
994.
995.
"金属热处理计算机辅助工艺设计(MHTCAPP)系统"属于数据库类专业应用软件,其数据库的设计是系统设计与开发的核心。结合热处理工艺设计规程,从用户需求出发,MHTCAPP系统的数据库设计包含概念设计、逻辑设计、物理设计以及数据库的实施。MHTCAPP系统数据库的实施是在Microsoft SQL Server平台完成的,满足MHTCAPP系统开发需求。 相似文献
996.
以三聚氰胺为前驱体,在氮气保护下进行高温热处理,借助X射线衍射、红外光谱、元素分析手段对产物进行表征。结果表明,在较低的400℃进行热处理时,前驱体中的N、H原子即开始逸出,产物中有层状g-C3N4的衍射峰出现,但是前驱体分解不完全。在500℃及高于500℃进行热处理时,可制备出纯态的g-C3N4,并且随着热处理温度的逐渐升高,所得产物的氮、碳原子比及其结构与理想层状石墨相g-C3N4差异逐渐减小。 相似文献
997.
998.
999.
在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜,研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面,薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明,在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3~1.62 eV范围内变化,并且随着开启脉冲电位的增大,薄膜的禁带宽度逐渐变大。在开启脉冲电位为-0.70V(vs.SCE)时,制备的薄膜禁带宽度为1.53 eV,在可见光范围内光吸收系数均达到104cm-1以上。扫描电子显微镜的测试结果表明所得薄膜的表面平整并且均匀。结合X射线衍射结果可证实制备出的薄膜是由正交结构晶粒组成的多晶体。对薄膜进行变温电学性质的测试,得到了薄膜电导率温度谱,发现室温下薄膜的电导率为10-6S.cm-1。同时,在实验上发现了薄膜与Al电极形成了肖特基接触,由电学测试推导出肖特基势垒高度为0.58 eV。 相似文献
1000.