基于FPGA的TFT显示屏控制系统的设计与实现

提出一套以大规模现场可编程门阵列(FPGA)-EP1C12Q240C8为控制核心,对静态存储器实行乒乓操作,实时处理解码后来自显卡数字视频接口(DVI)的信号及产生相应控制信号,以实现驱动薄膜晶体管(TFT)显示屏的实时动态图像显示的方案,并成功验证了该驱动方法的可行性.该系统对于驱动不同类型的TFT液晶或OLED显示屏,只需根据具体的屏编写相应的软件和增加少量的接口电路就可以实现,具有多用途、可复用的特点.     

薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟

设计了一种将薄膜a-SiPIN光敏传感单元与OLED有机发光显示单元合二为一的新型图像传感显示器件;通过对每个单元的分别建模以及叠层器件的串联结构特点,对器件单元像素的电流电压特性进行了模拟.结果表明:器件驱动电压的降低主要通过增大OLED的幂指数因子实现;薄膜a-Si PIN的灵敏度对器件灵敏度有决定性的影响;降低a-Si PIN隙态密度能有效地展宽器件的线性响应区域;器件应用领域的不同,对a-SiPIN的并联等效电阻的大小有不同的要求.     

OLEDoS微型显示

本文简要介绍一种新型微型显示器－硅上有机发光显示（OLED on Silicon)的特点、结构及应用前景，并较详细地探讨了现有几种OLEDoS的结构与电路特征。     

无定形硅的N型掺杂与P型掺杂

本文描述了a—si的掺杂过程,并成功地获得了N型a—si和P—型a—si膜,它们的电阻率分别达到1.1×10~2Ω—cm和5.9×10~2Ω—cm。测得了暗电导σ_D与r(r为磷掺杂或硼掺杂的百分数)的关系;σ_D与衬底温度T_S的关系;以及它们的电导激活能。对于N型a—si,E_C-E_F≈0.17ev;对于P型a—si,得到了两个激活能,分别是0.24ev和0.13ev。另外,对掺杂a—si也进行了红外吸收和透过率测量。并对结果作了初步分析。     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

高速微晶硅材料的制备及其特性分析

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅材料.同时也对材料的稳定性进行了相关的研究.     

本征微晶硅材料及其在电池中的应用

采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和功率的微晶硅薄膜.材料的电学特性和结构特性测试结果表明:制备出了符合太阳电池用的本征微晶硅薄膜.材料应用于电池中,制备出了效率达6.6%的微晶硅电池,没有ZnO背反射电极,而且电池的厚度仅为1.0 μm.     

微晶硅太阳电池

采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池．综合测试结果表明：硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响．在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%．在优化了沉积条件后,制备出效率达6.7%的微晶硅太阳电池（Jsc=18.8mA/cm2,Voc=0.526V,FF=0.68）,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-Si∶H)/i(μc-Si∶H)/(a-Si∶H)/Al,没有ZnO背反射电极．     

薄膜太阳电池系列讲座(2) 减薄晶体硅太阳电池给薄膜太阳电池的启示(下)

二减薄电池的发展1厚度减薄问题的提出减薄材料厚度除成本优势外,还会带来什么好处以及相应难点?事实上减薄厚度有利于增强PN结电池内光生载流子的收集。美国RCA的DavidRedfield等[3,4]于1974年首先对晶硅太阳电池的厚度提出"疑议",明确提出减少晶硅太阳电池