聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

研究了存在于聚合物发光二极管(PLED)中的一种可逆的"负阻"现象及短期衰退行为.当加在PLED上的正向偏压大于10V之后,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折,即电流或光强骤增而器件上压降减小."负阻"现象将随测量次数的增加而逐渐消失.采用CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像,发现光强的突变与电流的突变是相对应的.对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为.我们初步认为这些现象可能与PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关.     

a—Si TFT中钼与非晶硅之间的互作用

本文报导当在室温下向非晶硅（ａ－Ｓｉ）表面溅射钼（Ｍｏ）的过程中Ｍｏ与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在ａ－Ｓｉ界面为反应速率限制,而在与Ｍｏ交界面则为扩建速率限制。互作用生成非晶态钼硅Ｍｏ：ａ－Ｓｉ合金。它可阻止铝（Ａｌ）向ａ－Ｓｉ中扩散,同时可改善ａ－Ｓｉ ＴＦＴ的接触特性。当用Ａｌ／Ｍｏ作ａ－Ｓｉ薄膜晶体管（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）的源和漏电极时,可提高     

硅基薄膜太阳电池(三)

4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件.自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法(GD)制备氢化非晶硅(a-Si:H)[15],以非晶硅作有源层的器件才成为可能.硅烷的辉光放电是硅烷(SiH4)在一定氢气(H2)稀释下通过射频(RF)激发产生等离子体的辉光放电,将硅烷分解制备成非晶硅.它有以下最简单的反应表达式:     

晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究

以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。     

VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜

采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH和H的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc-Si：H薄膜的结构特征与表面形貌。基于当前的沉积系统,对μc—Si：H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc—Si：H薄膜的沉积速率提高到2．0nm／s。     

微晶硅材料和电池特性的相关研究

主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10~(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。     

利用碳糊成膜法改进CdTe太阳电池背处理工艺

提出一种新型的制备Cd％太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法,将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面,只进行一次后退火,X射线衍射（XRD）、二次质子谱（SIMS）测试发现,就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接触势垒的目的。实验结果表明。本文方法将传统的CdCl2后处理和形...     

氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题

采用光发射谱(OES)测量技术,实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(μc-SiH)薄膜沉积的氧污染程度.样品的X光电子能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)测量结果表明不同氧污染条件下制备所制备μc-SiH薄膜中,氧以不同的键合模式存在.氧污染程度较低时,氧主要表现为O-O与O-H键合;氧污染严重时,则以Si-O键合占主导.通过Raman光谱、电导率与激活能的测量进一步发现μc-SiH薄膜的结构特性与电学特性随沉积过程中氧污染程度不同发生显著的变化,而且这种变化不同于氧污染对a-SiH薄膜的影响.     

VHF-PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备

采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si∶H薄膜.对薄膜的厚度测量表明:增大激发频率和反应气压能有效提高沉积速率;随着等离子体功率密度的增大,沉积速率呈现出先增后减的变化.薄膜的Raman光谱、XRD及TEM等测试结果表明:提高衬底温度或减小硅烷浓度,可增大薄膜的结晶度和平均晶粒尺寸;等离子体激发频率的增大只影响薄膜的结晶度,并使结晶度出现极大值;薄膜中存在 (111)、(220)和(311)三个择优结晶取向,且各结晶取向的平均晶粒尺寸不同.     

下一代实验室,更亮的OLED材料以及其它

在SID’04的展览会上，三分之一的内容与设备或材料供应商有关，故器件制造是该展览会上人们交谈的主题。