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152.
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熊绍珍 《固体电子学研究与进展》1989,(4)
A non-linear resistance effect has been found in a-Si PIN solar cells. The dark I-V characteristics of the cells are described.Though the dependence of ln(Isc) on Voc under different light intensity for all the cells can be written Voc = nLKTln(Isc/Io') the differences between the dark and illuminated diode parameters(nd and nL, Io and Io') are varied for the cells with different performances. If the nd of the cell is about 2 then nL相似文献
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以金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基本器件单元,采用2M1P 5 μmCMOS工艺研制出适合于作全集成有源显示周边驱动的行扫描和列驱动电路.行扫描和列驱动电路的工作频率随工作电压呈指数式增加,然后趋于线性增长.在外加激励信号电压为10 V时,工作频率可以达5 MHz.在5 V电压应力条件下连续工作15000 s,行扫描和列驱动电路的输出特性基本不衰退.将这样的行、列驱动电路集成制作于像素矩阵电路的周边,研制出具有良好动态显示功能的彩色"板上系统(SOP)"型有源选址液晶显示器(AMLCD)模块. 相似文献
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首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术. 相似文献
158.
Plastic Logic公司设计并建造了一个采用有机半导体制造柔性显示组件("塑料电子学")的全尺寸制造工厂。这些显示组件具有重量轻、可弯曲、坚固的优点,并用于QUEproReader产品上——这是于2010年1月推出的一款专为商务人士打造的便携电子阅读器。 相似文献
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有机发光二极管矩阵显示屏的驱动电路的研究 总被引:5,自引:2,他引:3
本文分析了有机发光二极管的结构和驱动和特性,对现行LED驱动电路阳以改进,提高了电路驱动电压,成功地获得了对OLED(40*7)的驱动。 相似文献
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