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低缺陷TFT—LCD研究 总被引:1,自引:0,他引:1
综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的第列研究工作。它包括材料及器件优化研究,冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用SiNx/a-Si界面的氢经处理,Al:Ti栅金属及其Al/Ta,Al2o3/SiNx双绝缘层,低温致密ITO及Al腐蚀相容性工艺以及TFT动态特性研究等手段,所研制的200×151象素的TFT国可基本消除线缺陷仅存少量点缺陷。 相似文献
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本文中提出了一种通过氢等离子体改进和加速铝诱导晶化的工艺方法。通过拉曼散射谱、SIMS测试晶化多晶硅,结果说明了氢等离子体的作用缩短了铝诱导晶化的时间。这项技术使退火时间由10小时缩短到4小时同时使霍尔迁移率从22.1 cm2/V增加到42.5 cm2/V。另外也对氢等离子体辅助铝诱导晶化的可能机理做了讨论。 相似文献
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(3)非晶硅氧(a-SiO:H)合金[34,35]以H稀释硅烷添加CO2作混合气源,控制衬底温度、沉积气压及CO2浓度比CO2/(CO2+SiH4)(其中硅烷用氢稀释浓度比SiH4/(SiH4+H2)表示),在等离子体放电作用下,CO2、SiH4、H2之间将产生以下反应:SiH4+CO2+H2→a-SiO:H,生成非(或微)晶硅氧合金薄膜。硅氧(SiO:H)合金可以是非晶态,也可以是含微晶相的。由Si的无规网络(图34a)与SiO2网络(图34b)之间融合状态的不同,硅氧合金的原子构 相似文献
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LCoS微显背投有许多光学构件,它们提供照明、色彩管理、偏振控制和制成大屏幕视频显示所需的放大倍率。 相似文献