扫描探针显微镜研究弛豫铁电体电畴生长

本文研究了典型弛豫铁电陶瓷0．9PMN－0．1PT中的电畴生长过程．用扫描探针显微镜的轻敲模式和抬举模式对驰豫铁电陶瓷的表面形貌和电场力像进行了观察．结果表明,在施加不同针尖电压（0．05、0．5、1V）的情况下,能够诱导材料中纳米尺度极化微区通过沿＜111＞方向180°反转,从而形成亚微米尺度电畴．     

压电陶瓷管非线性校正

提出了一种简单、实效的压电陶瓷管非线性校正法。首先用迈克尔逊干涉仪分别测定压电陶瓷管的X向和Y向非线性曲线，然后求非线性曲线的拟合函数及其反函数，最后依此反函数通过设计原子显微镜（AFM）扫描程序给压电陶瓷管X、Y向施加非等差距的电压来产生线性位移。实验证明，此法能够有效地消除由压电陶瓷管的非线性引起的扫描图像畸变，从而有利于获得物体表面实貌的真实扫描图像。     

微型阵列束闸电子束偏转特性研究

为了降低微型阵列式束闸边缘场和邻近电场对多束电子束的偏转影响和串扰，本文以3×3阵列束闸为研究对象，利用COMSOL Multiphysics中的静电和带电粒子追踪模块，研究束闸长宽比、隔离接地极和束闸上方增加接地层对电子束偏转的影响。研究表明，在长宽比不变的情况下，边缘场对电子束偏转的影响在总偏转量中的占比与偏转电压无关；而偏转极板的长宽比越大越有利于精确控制电子束的偏转；通过优化隔离接地电极结构与参数，可减小束闸之间的串扰引起的束斑模糊问题。为了减小边缘场和邻近电场对电子束偏转的影响，本研究分析得出，如果束闸上方接地层的作用范围小于100μm,可在一定程度上抑制串扰的影响。同时，分析表明将接地层上圆孔改为方孔后，也在一定程度上减小了不平衡电场带来的影响。     

二次电子产额影响因素的研究进展

二次电子发射现象在显微分析、电子倍增、航空航天、高压输电和粒子加速器等中广泛存在，因此开展二次电子的相关研究具有重要的应用价值。本文首先介绍了二次电子的相关背景；随后从入射电子与材料相互作用到最终二次电子产额测量的全过程出发，将影响二次电子产额的因素分成了入射电子性质、材料属性、样品表面状态、测试条件与方法四个大类，并对其进行了文献调研和综合分析；最后总结了目前研究取得的进展，梳理了相关规律，指出了存在的不足之处，探讨了该领域可能的发展趋势。