基于伪随机序列的DSP程序运行参数加密方法

提出一种简单的基于伪随机序列的加密方法。在DSP程序运行过程中,将MCU传递给DSP的参数进行加密,使运行参数不会被逻辑分析仪等调试设备破译。该方法在每次通信开始时,由DSP产生伪随机种子应用于加密,使得同一个参数在每次通信中传递的密文不一样。这种方法可以保护外部运行参数较少的DSP程序。     

LiCoO2正极材料的制备技术及其进展

本文综述了LiCoO2固体和LiCoO2薄膜正极材料的制备技术及其进展,介绍了软溶液制备技术(SSP)用于Li-CoO2正极材料制备的优势及动态,展望了今后LiCoO2正极材料制备技术的方向.     

基于资源协调的分散优化阻塞管理新算法

将基于资源协调的分散优化算法应用到电力合约市场的阻塞管理问题中。ISO将可能阻塞的线路容量看作公共的全局资源,分配给各合约交易商,并通过与交易商交换必要的信息实现最优的线路容量分配。该分散优化方法中,ISO可在不要求用户私人信息的条件下实现社会效益最优,同时迭代过程中的解总是保持可行,因此更加适用于电力市场环境。该文建立了相应的数学模型,提出求解算法和步骤,并证明了与集中优化解的一致性。最后用IEEE-30节点的算例,验证了该方法的有效性。     

BaTiO3薄膜的水热合成与分析表征

采用水热合成法直接在高纯钛金属薄片上制备了BaTiO3薄膜;研究了水热反应温度对制备BaTiO3薄膜的影响;利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线光电子能谱(XPS)对制备的薄膜进行分析表征。研究结果表明,当水热反应温度相对较低(低于200℃)时,得不到纯净的四方钙钛矿BaTiO3薄膜;在250℃下水热反应5 h,得到了纯净的四方钙钛矿BaTiO3薄膜,薄膜的晶粒呈球形,平均粒径为200~300 nm。     

BaMoO4薄膜在电化学法制备中生长基元的实验研究

在采用恒电流电化学技术研究BaMoO4薄膜的初期生长特性实验中,发现了若干很重要的实验现象:薄膜生长初期形成的晶核首先具有白钨矿结构的骨架;晶核和刚开始长大生成的晶粒都是疏松的,晶粒都明显显示有蜂窝状空隙存在;随着制备时间的增加,白钨矿结构骨架原先疏松的程度逐渐减弱,经过一定时间,晶粒趋于饱满,晶粒表面基本光滑;在薄膜形成的过程中,新生成的晶核也具有类似情况.结合BaMoO4薄膜电化学制备机制分析,作者认为:利用电化学技术制备BaMoO4晶态薄膜时,在生长初期基体Mo以[MoO4]2-的形式构成负离子配位多面体生长基元,这些生长基元优先选择在基体缺陷处作为白钨矿结构的晶核堆砌和生长,并进而与溶液中的[Ba]2 相连接,键合成BaMoO4晶粒,再逐渐长大.显然,该发现和研究对于丰富晶体生长动力学知识及指导利用电化学技术制备晶态薄膜都具有重要意义.     

白钨矿结构Ba1-x-ySrxCayMoO4晶态薄膜电化学制备机制分析

基于本项目组采用恒电流技术直接在金属钼片上以电化学方法制备具有白钨矿结构的钡、锶、钙(包括其复合体系)钼酸盐(Ba1-x-ySrxCayMoO4)薄膜的实验研究结果,分析了利用电化学方法制备功能薄膜中的成膜机制,讨论了晶态薄膜电化学制备过程中的电流密度、电解液酸度、沉积温度和溶液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响。该研究结果对利用电化学方法制备相关薄膜也具有重要参考意义。     

Multicast Routing in Satellite Network

There are some problems in the dual-layer satellite MPLs metworks to be composed of LEO and MEO.In order to solve the problems, this paper presents a plan by means of unicast LSP to implement multicast in the dual-layer satellite MPLs networks. It has advantages of saving space and reducing extra charge.     

电化学制备Ba1-xSrxWO4薄膜的工艺研究及分析表征

采用恒电流技术直接在金属钨片上制备了白钨矿结构的Ba1-xSrxWO4晶态薄膜；讨论了电流密度、酸度、温度、电解液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响。采用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶相；扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌；X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的成分与价态。研究结果表明，通过控制上述工艺条件可以控制沉积薄膜的质量；在室温附近、较低的电流密度、pH值在12～13范围内时，能够制备出结晶良好、表面均匀的Ba1-xSrxWO4固溶体薄膜。     

电化学沉积技术制备白钨矿结构钼酸盐薄膜

采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备了白钨矿结构的钼酸盐，包括SrMoO4，BaMoO4和Ba1-xSrxMoO4(0≤x≤1）等薄膜，控制电化学反应的工艺条件为：电流密度为1mA/cm^2；电解液的pH值为13；电化学处理时间为1h。SEM,XRD和XPS分析结果表明，制备的钼酸盐薄膜均为表面均匀致密的四方晶系单相薄膜。     

半桥型MMC直流侧故障恢复过程过流机理及抑制方法

直流侧发生短路故障后,半桥型模块化多电平换流器（MMC）易闭锁,故障恢复期间不当解锁导致桥臂过流,MMC存在连续闭锁风险,引发系统性安全问题。针对该问题,文中理论分析了故障恢复期间绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的解锁过流机理,并提出了一种新的故障恢复控制。首先,指出欠阻尼状态的故障回路必然导致IGBT闭锁。其次,揭示了故障恢复期间IGBT解锁过流的根源是直流侧和交流侧的压差。进一步,提出了故障恢复控制,在闭锁期间切除功率外环,抬高交流侧调制波以减少压差,抑制桥臂电流。计及闭锁期间子模块电容电压和重合闸时序,构建了自适应外环参考值曲线,解决功率盈余造成的过压问题。结果表明,和现有串联交流侧启动电阻方法相比,在不同工况下所提故障恢复控制最低可将桥臂电流峰值由1.57 p.u.降至0.79 p.u.,解锁后调控功率侧MMC直流电压为额定值,有助于加快故障恢复。