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41.
裂缝转向的实现及选井、选层、优化设计等的数值模拟和机理是转向重复压裂需进一步研究解决的问题,为此,采用黑油模型,研究了在反九点注采井网中,不同储集层渗透率下,转向重复压裂的裂缝穿透率和导流能力等对采油动态的影响。研究表明,不论是渗透率高的地层还是渗透率低的地层,不利裂缝方位的边井最适合实施转向重复压裂且需要比常规重复压裂更大的缝长,而有利裂缝方位的边井和角井只需要与常规重复压裂相当的缝长;同时,转向重复压裂需要比常规重复压裂更高的裂缝导流能力。  相似文献   
42.
贴片机脱机编程的快捷方法   总被引:7,自引:4,他引:3  
SMT生产线中的大多数加工设备均为数控设备。它们编程所需要的大多数特征数据均可从CAD设计系统中得到。文章介绍了如何从CAD设计系统中导出X、Y坐标数据,并转换成贴片数据的方法和思路,以期引起更多的同行加入到这方面的研究中。  相似文献   
43.
随着电子工业的飞速发展,贴片设备已被广泛应用于大规模电子组装生产上。文章就贴片机选型时应注意的几个关键技术问题作简单介绍,希望对企业选择贴装设备有一定的帮助。  相似文献   
44.
本文分析了紫山灰坝迎灰坡裂缝的成因,并介绍了充填式灌浆处理方法,效果良好。  相似文献   
45.
IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
张华曹  段飞 《电子器件》2003,26(1):25-28
以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型,经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析,所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的,可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。  相似文献   
46.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
47.
高速贴片机优化软件的设计与开发   总被引:9,自引:4,他引:5  
鲜飞 《印制电路信息》2003,(11):56-58,61
SMT生产线要达到最大的产量,必须要考虑生产线的效率。贴片机是SMT生产线中的关键设备,因此提高贴片机的生产效率具有十分重要的意义。本文以松下贴片机为例,介绍了贴片机程序优化软件的设计与开发中的思想、方法和经验,希望对从事CAM软件研究的工程人员有一定帮助。  相似文献   
48.
本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。  相似文献   
49.
起升中四腿落地式K型井架及底座的应力分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
针对在用四腿落地式K型井架在起升中井架与底座存在的问题,文章以JJ162/42-K型井架为例,采用I-DEAS有限元软件对起升过程中处于各角度时的井架及底座做了应力分析,并将其结果与两腿落地式K型井架进行了比较。分析表明,四腿落地式K型井架及底座在井架刚起升时,应力值较大,存在安全隐患。为了增强在井架起升过程中底座的安全性,建议在底座上井架2个铰支座之间加焊加强钢板,并加大井架前立柱铰支座的尺寸。  相似文献   
50.
甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景   总被引:5,自引:0,他引:5  
综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展,特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式;还根据甲烷芳构化技术产业化的需要,分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。  相似文献   
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