用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究

采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330～ 80 0nm范围反射率只有 1 5～ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关     

共轭梯度法在三维复杂流动数值分析中的应用

将多块网格技术运用于三维T型管复杂流场的网格生成，利用不完全乔列斯基预处理共轭梯度，双共轭梯度方法求解N－S方程的离散方程。计算表明上述方法有良好的收敛特性，适合于诸如T型管等复杂流动的分析。     

基于Matlab/Simulink的机械工程控制系统仿真

通过列举一些实例 ,分析了Matlab/Simulink软件在机械工程控制系统仿真中的应用 ,能够简化编程 ,取得了很好的效果。     

多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展

SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用，已经越来越广泛地应用于多晶硅太阳电池的制造工艺中，介绍了SiN薄膜在硅太阳电池中的性质，制备方法等研究现状，同时提出了存在的问题并展望了今后的发展趋势。     

再谈过度包装

过度包装作为一种虚假的、不合理的包装在当下仍有市场。按市场的规律去追溯,其原因在于生产者、设计者、消费者、决策者4个方面。文章从生产者的失信行为、设计者的伦理道德、消费者的虚荣心理、决策者的法规建制方面进行了阐述,指出通过社会各界的合力,结合国外的成例,中国的包装业将会进入合理、适度包装的良性循环发展阶段。     

金堆地区浅基础设计的实践

通过对金堆地区建筑物稳定性变化的分析，提出了金堆地区浅基础设计的见解，阐明了在进行浅基础设计时，应在综合分析地质、地形、地貌、建筑物特性等因素的基础上，进行择优选择，对该地区的浅基础设计有一定的指导意义。     

WCDMA软切换的下行发射分集与功率控制策略

分别介绍了传统软切换分集方式、单基站选择分集传输方式（S-SSDT）、多基站选择分集传输方式（M-SSDT）、基站独立分集传输方式（SIDT）等几种发射分集策略，并探讨了相应的下行功率控制方案。     

茂名石化PE农用薄膜专用料的生产和开发

概述了我国农用薄膜现状与发展趋势，分析了存在的问题，对茂名石油化工公司的聚乙烯农用薄膜专用树脂的生产和开发提出了建议。     

全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。     

一类连续时间广义边值系统的能控性和能观性

连续时间广义边值系统被描述为Ｅｘ（ｔ）＝Ａｘ（ｔ）＋Ｂｕ（ｔ），Ｖ０ｘ（０）＋Ｖｒｘ（Ｔ）＝ｖ，其中Ｅ是奇异方阵，ｕ（ｔ）满足任意次可微，本文讨论了一类连续时间广义边值系统的有关向内和向外边值过程的两个重要概念，并在此基础上给出了能控性和能观性定义和判别准则．