一种超薄挠性印制电路用运载膜的研究

采用丙烯酸酯压敏胶的粘接原理,调整产品的初粘性和持粘性范围,并采用外交联和内交联相结合固化方式提高产品耐酸碱液的侵蚀能力。对主要单体、交联单体、固化促进剂、后处理的温度和时间进行了研究。结果表明:研制的运载膜成本低,性能好,使用方便,可以满足挠性印制电路板(FPC)生产工艺要求。     

单片机在无线调度系统中的应用

介绍了一种无线调度控制系统的设计原理,使用单片机(AT89C2051)和DTMF信令解决了无线通信中的信令编码、解码及身份识别等技术问题,弥补了传统的无线调度系统的不足。     

新型芳香二胺的合成及其聚酰亚胺的应用研究

首先通过双酚A和碳酸钾反应得到酚钾盐,与间-二硝基苯反应合成2,2-双[4-(3-硝基苯氧基)苯基]丙烷(3-BNPP),再用水合肼还原得到新型芳香二胺单体2,2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷(3-BAPP)。用3-BAPP与多种二酐合成出多种聚酰亚胺,并在二层法挠性覆铜板(2L-FCCL)的应用方面做了一些研究。研究表明其相应的2L-FCCL具有良好的耐锡焊性能和较低的吸水率。     

工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响

用射频溅射法将立方氮化硼(c-BN)薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识. 在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响. 研究结果表明,工作气压是影响c-BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压. 工作气压等于或高于2.00Pa时,立方相不能形成;工作气压为0.67Pa时,得到了立方相体积分数为92%的立方氮化硼薄膜.     

P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展

透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质，综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。     

熔盐法合成钛酸铋钾陶瓷粉体

以K2CO3,Bi2O3和TiO2为反应物,KCl为熔盐,通过熔盐法在600℃成功合成纯钙钛矿结构K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅陶瓷粉体。探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小和形貌的工艺参数,并对影响机理进行了探讨。结果表明,与传统固相法相比,熔盐法合成温度显著降低且颗粒平均粒径明显减小。固相法合成的粉体平均粒径为115nm,KCl含量5%和20%的熔盐法合成粉体平均粒径为78nm和67nm。此外,实验发现随着熔盐量的增加,易合成各向异性的棒状粉体。     

CAN网络的实时性与可靠性的研究

CAN总线目前已广泛地应用于分布式监测和控制系统.这就要求它既要具有很好的实时性又要具有很高的可靠性.虽然CAN协议在可靠性和实时性这两个方面分别提供了一些策略和保证,但同时两者之间又存在着矛盾并且相互制约.本文提出了利用时间触发CAN协议(TTCAN)中的一种非自动广播特性,来改善CAN协议在可靠性和实时性之间所存在的矛盾和相互制约.     

双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管

设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响.结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性,特别是在短波方向有高于80%的内量子效率.这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据.     

聚酯及其在FPC中的应用研究进展

本文概述了聚酯的结构,分别介绍了饱和聚酯和不饱和聚酯两大类聚酯,详细阐述了聚酯的各种性能,重点综述聚酯薄膜、聚酯胶粘剂和聚酯纤维在电子中的应用和最新研究进展。     

反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响

采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0Pa)下沉积了一系列氮化铝(AlN)薄膜。研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小。场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5Pa和0.7Pa)下制备的AlN薄膜具有一定的场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降。电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射。研究表明,为获得具有良好场发射性能的AlN薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能。