P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展

透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质，综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。     

基于CAN总线的智能门禁系统的研发

针对智能建筑门禁系统的管理需求,设计基于CAN总线的智能门禁系统。该系统具有技术成熟,稳定可靠的特点。样机测试表明,系统各项主要功能均达到要求,具有低成本和更人性化的优势,有助于门禁系统智能化的发展。     

C60/氟金云母复合膜光吸收谱研究

用热壁外延法在氟金云母上生长出了高质量C60薄膜,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌,并测量了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱.由近带隙区的透射及反射光谱,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系,并利用Tauc公式确定了C60薄膜的光学带隙.     

ECR-CVD法制备BN薄膜

cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.     

单片机在无线调度系统中的应用

介绍了一种无线调度控制系统的设计原理,使用单片机(AT89C2051)和DTMF信令解决了无线通信中的信令编码、解码及身份识别等技术问题,弥补了传统的无线调度系统的不足。     

PMN-PT单晶淬火处理对介电性能的影响

通过淬火处理可以使弛豫型PMN-PT单晶中一些应力集中的区域产生应力场致相变,在Td处产生宏畴,从而在温谱上Td处的介电峰强化.研究表明,经淬火处理单晶谐振极化所对应的低温介电行为受到压制,主介电峰变窄,峰值变高并稍向高温方向移动;频率弥散减弱,弛豫性变小.     

Si衬底上SrMnO3缓冲层对La0.8Sr0.2MnO3薄膜择优取向生长的影响

利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层，再沉积得到了(110)择优取向生长的La08Sr02Mn03(LsMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明：当沉积温度为600℃时，增加缓冲层SMO的厚度，LSMO薄膜的取向性变好；当缓冲层SMO厚度为45nm时，LSMO薄膜基本具有(110)取向生长的特征。进一步的工作证实：提高沉积温度，能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小，并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度；当沉积温度为800℃时，由于类退火作用的存在，厚度为10nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长。     

氟金云母衬底上C_(60)薄膜的光学性质

用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌 .测量并分析了不同厚度 C6 0 薄膜的紫外 -可见吸收光谱 .由测量的透射及反射光谱 ,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系 .利用结晶半导体的带间跃迁理论 ,对禁戒的带间直接跃迁 hu→ t1 u和电偶极允许的带间直接跃迁 hu→ t1 g的带隙分别进行了计算     

基于ARM的人脸识别门禁系统设计

通过对嵌入式技术以及人脸识别的研究,提出了在基于IMX6ULL处理器上,搭建人脸识别门禁系统.根据系统的功能需求给出了系统总体框架以及各个功能模块的实现方案,包括图像采集模块、存储模块和输入输出模块的硬件设计和系统的软件实现.该系统运行稳定,效率高,满足人脸识别门禁系统的设计要求.