半导体封装测试生产线瓶颈检测的一种方法

所有的半导体生产系统都存在生产瓶颈,只有提高瓶颈单元的生产能力才能提高整个生产系统的生产能力。由于以往的瓶颈检测方法过于单一,常常难以适用于比较复杂的半导体生产系统,为此通过对前人的工作的努力研究,建立了半导体封装测试制造系统的生产模型,克服了以往单个瓶颈识别指标确定瓶颈的弊端,进而得出生产系统中一种半导体封装测试生产线瓶颈检测的方法。并通过实例证明了该方法的有效性和鲁棒性。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响

根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。     

LTE FDD和LTE TDD测试解决方案

对于WCDMA来说,下一步会演进到LTE FDD模式,这已经得到了全球主流网络运营商和设备制造商的支持;而对于TD-SCDMA来说,能否实现向下一代通信技术的平滑演进,决定了TD-SCDMA究竟具有多长时间的生命力,以及我国的自主创新战略究竟能走多远。PPRAN151会议通过了27家公司联署的LTE TDD融合帧结构的建议,统一了LTE TDD的两种帧结构。融合后的LTE TDD帧结构是以TD-SCDMA的帧结构为基础的,这就为TD-SCDMA成功演进到LTE乃至4G标准奠定了基础。罗德与施瓦茨中国有限公司的刘昶所撰《LTEFDD和LTE TDD测试解决方案》一文首先对LTE早期研发中一些重要的测试项目进行介绍,然后详细介绍了R＆SLTEFDD＋TDD测试解决方案,此方案大大减少了测试的工作量和人为干预,从而提高了测试的效率和准确性,可供相关技术人员参考。     

LTETDD核心技术剖析及测试解决方案

目前,各种通信技术将如何演进为3G之后的技术是业界非常关注的一个焦点,特别是对于TD—SCDMA来说,能否实现向下一代通信技术的平滑演进,决定了TD究竟具有多长时间的生命力。2007年11月,3GPPRAN151会议通过了27家公司联署的LTETDD融合帧结构的建议,统一了LTE TDD的两种帧结构。融合后的IJTETDD帧结构是以TD—SCDMA的帧结构为基础的,这就为TD—SCDMA成功演进到LTE乃至4G标准奠定了基础。本文将对LTETDD演进方案的测试技术进行介绍。     

浅谈专利法创造性中之显而易见性

现行《专利法》、《专利审查指南》以及《专利合作条约国际检索和初步审查指南》均未对由"合乎逻辑的分析、推理以及有限的试验"到"显而易见性"的导出原则或步骤进行规定,可能导致专利审查结论不一致。本文根据相关概念以及具体审查案例,对"合乎逻辑的分析、推理或有限的试验"与发明创造性中之显而易见性二者之间的关系进行分析,并对判断原则和具体判断步骤的提出了完善建议。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。     

IMS接入设备网络管理分析与研究

根据运营商对IMS接入设备管理的需求,针对降低运营商对接入设备管理的复杂性,在目前运营商网络管理组网结构的基础上,提出了接入设备网络管理组网结构的改进方案。对IMS接入设备网管进行了需求分析,提出了接入设备管理的整体网管方案以及在不同应用场景下运营商对接入设备告警管理和性能管理的不同需求,以方便运营商提高服务质量和管理效率。     

来电解码器及其在客户关系管理中的应用

介绍了一种基于单片机AT89C2051和FSK解码芯片HT9032C实现的来电解码器,说明了设计的原理和解码器的结构.该解码器可应用于客户关系管理系统中,将以FSK方式传送的电话主叫信息通过串行口传入计算机,结合数据库的查询功能,在接听客户来电前实现对客户的识别和详细信息的显示.     

用于地下建筑变形缝的膏状止水材料性能模拟试验

地下空间的开发利用为未来城市规划建设带来新的机遇和挑战,地下工程防水技术备受关注,地下建筑变形缝防水材料及构造研究迫在眉睫.对国内外已有地下工程变形缝防水堵漏材料、防水材料试验装置及模型进行分析,继而提出用于检测地下工程变形缝膏状止水材料防水性能、拉伸变形以及沉降变形的模拟试验装置和方法,旨在能客观反映和评价防水材料与构造的防水效果,为进一步研究与实践提供参考.