客车生产中的倒排产应用研究

本文以某客车制造企业的涂装车间作为研究和应用背景,构建基于倒排产算法的车间排产系统,分析倒排产在实施过程产生冲突的原因,给出倒排产冲突的解决方案.实际系统运行效果良好,验证了该解决方案的合理性.     

探索中国ASP模式——可配置的东北网络化制造公共服务平台

东北是我国航天,航空,石油,化工,机械制造,冶金,动力、重机、机车等多种装备的研究生产基地,在国民经济的发展和国防建设中具有重要的战略和经济地位。据有关统计,仅辽宁钢、生铁、钢材分别占全国产量的近20%;发电量、原油、天然气、原煤、机床、动力设备、飞机制造、造船、冶金设备、矿山设备、变压器、汽车等产量在全国都占有重要地位。面对经济全球化,东北老工业基地迫切需要用信息技术提升传统产业,以提高企业的综合竞争能力。网络化制造不仅优化企业内部的流程和提高工作效率,而且显著提升企业产品开发及提供服务的能力,改变传统的购销…     

LTE TDD测试的R＆S解决方案

文章首先介绍了LTE TDD的技术特点，亦即LTE系统为TDD的工作方式进行的专门设计，包括无线帧结构、上下行的时间分配、同步信道和随机接入前导；接着详细阐述了LTE TDD测试的R＆S解决方案的几个主要测试项目：LTE信号的产生与分析，LTE MIMO测试及LTE协议栈的测试。该解决方案可以加快产品的上市。     

复合材料高压气瓶用玻璃纤维开发研究

简要介绍了复合材料高压气瓶的发展状况、分类、特点以及相关标准。详细总结了复合材料高压气瓶用玻璃纤维的质量要求,研究开发了一种性能优异、适合于缠绕复合材料高压容器的玻璃纤维产品,并介绍了这种玻璃纤维产品的主要性能指标。     

基于EPON网的AES加密电路设计

EPON网是基于千兆以太网的无源光网络技术,是光纤接入网的重要解决方案之一,具有良好的市场发展空间。随着广电网络技术的发展,信息安全的重要性日益增加,加密技术也越来越受到关注。AES算法作为现在的主流加密手段,是密码学中的高级加密标准,对它进行学习和运用具有十分重要的现实意义。讨论EPON系统下行传输存在的安全问题,并简单介绍高级加密算法（AES）在EPON系统内的实现方式,其中主要涉及AES原理的分析以及AES算法的硬件实现和功能仿真。     

移动视频广告中国专利状况分析

分别从年度走势、申请类别、申请人省份排名、申请国排名、主要申请人排名等几个方面对移动视频广告中国专利申请状况进行了分析,通过分析指出,移动视频广告的发展虽然迅速但不均衡,且申请人非常分散,手机业务相关厂商非常重视移动视频广告的专利布局,另外,申请人大都采用发明专利的形式申请专利,对广大国内申请人了解该领域的技术或者市场状况都有所帮助.     

探讨三网融合对通信行业和广电传媒业的影响

我国的"三网融合"概念是在2001年3月15日通过的"十五"计划纲要中第一次明确的,直到2014年3月5日第十二届全国人民代表大会第二次会议的政府工作报告中进一步提出在全国推行"三网融合",历经了十多年时间,虽然进展并非一帆风顺,但已经明确了三网融合的时间表,逐渐实现阶段性目标。总之,融合是大势所趋。各行业如何运用融合技术和发展问题不断引起业界广泛讨论。在新的发展时期,本文进一步分析了存在的问题以及三网融合对电信行业和广电行业的影响。     

基于门形三条直线的P3L问题的闭式解

研究了应用线特征进行摄像机位姿测量的三线透视问题（P3L）在三条直线共面并成门形摆放时的闭式解问题，研究了该种情况下解的特性，得出当摄像机光心位于过三条直线的两个交点且垂直于三条直线的平面时，该问题存在无穷多解，当光心不在此平面时则存在唯一解，应用几何方法给出了该结论的证明，给出闭式解求解方法，对该方法进行的计算机仿真证明了方法的正确性，该方法对实际应用有一定的指导意义。     

XPS STUDIES OF IRRADIATED HARD AND SOFT Si—SiO_2

The interracial structure of hard and soft oxides grown by dry oxidation on<100> n-type silicon substrates is examined using high resolution mild X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) before and after irradiation. Substantial differences in silicon of silica state (B.E. 103.4 eV), silicon of transitional state (B.E. 101.5 eV), surplus oxygen (B.E. 529.6 eV) and negative two-valence oxygen (B.E. 531.4 eV) are observed between the two kinds of samples. The XPS spectra strongly depend on the conditions of irradiation for soft samples, but do not as remarkablely as soft samples for hard samples. The effects of irradiation doses on XPS are greater than that of irradiation bias fields. Some viewpoints of irradiation induced hole electron pair are proposed to explain the results.     

电离辐照下Si-SiO_2的光频电容率

采用软X射线激发光电子能增（XPS），观测了抗辐射加固与非加固Si-SiO2经60Co辐照前、后的光频电容率变化。结果显示；辐照与未辐照非加固Si-SiO2光频电容率在沿Si-SiO2的深度分布上呈现一个位于界面区的峰谷．辐照后光频电容率与未辐照光频电容率之比亦出现一个峰谷；加固与非加固Si-SiO2界面区光频电容率均随辐照剂量的增加而降低，其中非加固样品的减少明显于加固样品的减少。文中以完整SiO2等离子体激元密度与纯Si等离子体激元密度在界面区的相对变化，探讨了电离辐射致光频电容率变化的机制。