转炉二次除尘设备改造

针对炼钢转炉除尘系统在生产过程中暴露出来的设计缺陷,进行分析、论证,重点介绍如何进行改造优化,从而有效地降低粉尘排放浓度和岗位粉尘浓度,降低电耗,优化操作.     

CSS在网页设计中的应用

文章介绍了CSS在网页设计中的应用的几种方式,以及CSS的格式,还介绍了在Dreamweaver中设定CSS的方法.     

快速浮选 提高铅银回收率

快速浮选提高铅银回收率１矿石性质南京铅锌银矿系多金属硫化矿，矿石中主要金属矿物有：方铅矿、闪锌矿、黄铁矿、菱锰矿，其次为黝铜矿，偶见辉银矿、深红银矿、螺状硫银矿、自然金，同时该矿石中还含有少量的碳质物，主要是石墨。矿石中银赋存分散，且粒度非常细，多呈...     

基于卷积神经网络的超声红外热图像分类

在超声红外热像技术应用中,从红外热图像来判断被测对象是否含有裂纹,通常需要先基于人工经验,从红外热图像中提取特征再采用某种模式识别方法进行分类,裂纹的识别与定位过程繁琐且识别率较低。为此,提出一种基于卷积神经网络技术的超声红外热图像裂纹检测与识别方法,其特点是可以直接从超声红外图像中学习特征进而实现是否含有裂纹红外热图像的分类。通过实验得到的含裂纹和不含裂纹金属平板试件的红外热图像,建立卷积神经网络模型对图像中是否含有裂纹进行分类,研究结果表明,参数优化后的卷积神经网络模型对超声红外热图像的有无裂纹分类准确率达到98.7%。     

基于EMD和SVM的齿轮裂纹故障诊断研究

为了识别不同裂纹深度的故障齿轮,以齿轮传动系统中的直齿圆柱齿轮为研究对象,采集3个已预设不同裂纹深度的齿轮和1个无裂纹齿轮的振动信号。对采集到的振动信号先进行时频域分析和EMD分解,再提取不同维数的能量故障特征向量,采用基于径向基核函数的算法分别建立SVM模型并进行不同裂纹深度齿轮的识别和识别率比对。结果表明：选择合适维数的能量故障特征向量,结合EMD信号分解和SVM模式识别方法能准确识别不同裂纹深度齿轮的类型,为齿轮裂纹故障的早期诊断提供参考。     

电力变压器关键尺寸视觉检测方法及其缩比模型验证

电力变压器的关键尺寸测量是其装配制造、运输安装过程中重要一环,现有测量方法操作繁琐且效率较低。为此,本文提出了一种适用于110 kV油浸式电力变压器关键尺寸视觉检测方法,该方法利用YOLO目标检测算法、Grabcut图像分割算法实现关键组部件的智能检测与分割,然后基于双目立体视觉原理实现套管相间距离及变压器最大截面外形尺寸等关键尺寸的测量。本文搭建了110 kV油浸式电力变压器外观缩比模型,试验分析了拍摄距离和角度等因素对电力变压器关键尺寸视觉检测的影响。结果表明,本文基于缩比模型试验实现了在不同拍摄距离与角度下变压器关键尺寸的视觉检测,验证了该方法的有效性。本文方法可以为110 kV油浸式电力变压器现场尺寸测量提供参考。     

基于EEMD的特征提取及其在齿轮裂纹故障诊断中的应用

为了提取齿轮裂纹故障的特征参数并识别不同裂纹深度齿轮的类型,以单级齿轮箱中的圆柱齿轮为实验对象,采集3种不同裂纹深度齿轮的振动信号。对采集到的信号进行时频域分析和EEMD分解,分别提取时域特征参数和EEMD能量特征参数,分析和构造齿轮裂纹故障特征向量,选用基于径向基核函数的支持向量机分类方法进行不同裂纹深度齿轮的识别。结果表明：结合时域特征参数和EEMD能量特征参数构造的齿轮裂纹故障特征向量能准确识别不同裂纹深度齿轮的类型。     

湿法提钒浸出段搅拌反应器结构的优化

清洁提钒工艺中,熟料的湿法浸出是重要的操作单元.浸出搅拌反应器的合理设计与优化,可缩短浸矿时间以及提高浸矿效率.本文通过改变搅拌桨桨叶间的层间距、搅拌桨的安装层数以及安装导流筒等方法,对攀钢集团公司的浸出搅拌反应器进行优化和改进;并结合计算流体动力学(CFD)Fluent商业软件,分别模拟了原浸出搅拌反应器和改进后浸出搅拌反应器的宏观流场结构.结果表明:在层间距C₂为1100mm的原双层搅拌桨浸出搅拌反应器内,流体轴向速度较小,“死区”现象较严重;与原反应器相比,调整双层搅拌桨桨叶之间的层间距C₂为1800mm以及安装3层搅拌桨或导流筒,都可加强反应器内流体的轴向流动,减小“死区”范围,进而改善流场结构的均匀分布,有助于强化流体混合.     

PMMA光子晶体及PMMA/TiO2光子晶体的制备及表征

用无皂乳液聚合法,制备单分散的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）微球,并使其在重力和表面张力作用下自组装成PMMA光子晶体。用SEM研究其表面形貌,并对其进行光学性质的研究。此外还制备了PMMA／TiO2光子晶体,用AFM表征了其形貌,XRD表征了混合体系的TiO2的晶型。经光学性质研究表明,TiO2纳米粒子提高了光子晶体的折射率比,光子带隙红移。     

GaN基底上集成介电薄膜材料的生长方法研究

将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。