霍林河露天煤矿爆破参数试验研究

针对霍林河露天煤矿生产爆破的特点和存在的问题，通过实验室试验和现场应用相结合的方法，优选了有关参数，从而提高了爆破质量，降低了生产成本。     

略谈露天矿采矿技术创新与创新体制建设

企业要快速发展,技术创新是不可缺少的。主要分析了煤矿企业采矿技术创新内容,并建立了相应的技术创新体制。     

第一次国际消防安全学术讨论会论文题目

1985年10月7—11日于美国标准局(NBS)举行了第一次国际消防安全学术讨论会,这次国际学术讨论会规模很大,有世界各国290名消防专家、教授、学者参加,发表论文111篇,是国际上近年来最大一次消防学术讨论会。论文内容共分十个方面。     

MXene修饰层对钙钛矿太阳能电池影响研究

过渡金属碳化物和氮化物(MXene)作为二维材料家族的新成员,由于具有高导电性、高迁移率、可调结构和表面官能团丰富等优点,引起了广泛关注。该文在电子传输层和钙钛矿光吸收层之间引入Ti₃C₂T_x (一种典型的MXene)作为界面修饰层,用于制备高性能钙钛矿太阳能电池。结果显示,引入MXene界面修饰层的电池与参比电池相比,钙钛矿晶粒平均尺寸从0.46 μm增大至1.16 μm,开路电压、短路电流密度和填充因子均有提升,光电转换效率从15.78%提升到19.39%,证明引入MXene界面修饰层是提高钙钛矿太阳能电池性能的一种有效方法。     

高安市谢家闸除险加固工程泄洪闸设计方案分析

水闸经过多年运行,受各种因素的影响,在使用到一定年限的时候,会出现诸多安全隐患,为了确保工程的运行安全,发挥其正常的作用,需要对其进行及时除险加固,以排除险情。本文选取了高安市谢家闸除险加固工程,对其泄洪闸的设计方案进行分析。     

DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。     

热处理对TaN薄膜电性能的影响

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。     

基于多相滤波组的无“盲区”的接收机模型

介绍了利用多相滤波器组对宽带信号信道化的一般原理,在此基础上提出了一种基于双覆盖因子ωk1、ωk2的无"盲区"的数学接收机模型.并推导出此数学模型DFT结构.因此降低了硬件实现的复杂度,工程上更具有实用性.     

氮流量对TaN薄膜微结构及性能的影响

采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N2/(N2+Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低。当N2流量较低(2%～4%)时,TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta2N相(hcp),薄膜的电阻率在344μΩ.cm到412μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几十ppm/℃。当氮气流量较高(5%～6%)时,薄膜中Ta2N相消失,薄膜中主要含有TCR绝对值较大的体心四方结构(bct)的TaN和四方结构(bct)的Ta3N5相,薄膜的电阻率在940μΩ.cm到1030μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几百ppm/℃。