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分形理论在聚合物共混物界面研究中的应用 总被引:12,自引:1,他引:11
聚合物界面奶难加以定量描述,采用一种图形变换的方法可以将界面复杂状态转换成几何特征加以描述,文中基于分形理论及n维分形布朗运动,提出用分形数来描述聚合物界面的状态。 相似文献
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113.
财务管理在企业的整个发展过程中扮演着核心的角色。它掌控着企业发展的未来走向,所以迅速发现和解决企业财务管理中存在的问题就显得非常重要。 相似文献
114.
目的 :探究神经导航辅助脑室镜手术治疗小儿侧脑室蛛网膜囊肿效果。方法 :从本院2017年1月-2018年8月接收的患者中,随机抽取64例,分为对照组和观察组。结果 :观察组患儿行开窗术20例,占62.48%;行囊肿切除术12例,占37.52%,术后感染率6.26%;随访患儿完全康复率59.38%,出现并发症1例,占3.12%,患儿术后死亡率为0.00%,P 0.05。结论 :神经导航辅助脑室镜手术,治疗小儿侧脑室蛛网膜囊肿,可提升手术安全性,降低术后感染、并发症机率,提升患者康复率。 相似文献
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研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4.击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。 相似文献
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