集棉尘笼网面吸风不均也会造成棉包崩丝

皮棉的包装质量直接影响着棉花质量。包装后的棉包崩丝会造成棉包露白，使棉包外型不整齐，露白之处容易造成污染，甚至会影响棉花质量。     

对单层金属粮仓储藏粮食的探索

粮食是人们赖以生存的物质基础,粮食的生产是季节性的,而人们对粮食的需求是常年性的,因此,粮食的储藏是粮食生产不可缺少的组成部分。128团有装配式金属仓7座,总容量为7000t。怎样保证金属粮仓储藏的粮食安全,是我们多年来主要探索的新问题,如仓内粮食表面结露、挂壁、生虫、结底、霉变等。笔者通过储藏实践,谈一谈在金属粮仓储藏粮食过程的几点认识。1金属粮仓在储粮中的作用装配式金属粮仓具有装配简单,机械化、自动化程度高,价格便宜,使用方便,效率高等优点。128团的金属粮仓储备库是在90年代初新建的,使粮食得到了集中统一管理,有效地…     

Cr2O3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响

研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.     

AlGaSb/GaSb量子阱生长在优化的AlSb成核层

在GaSb缓冲层上生长5个周期的量子阱,通过优化AlSb成核层的生长温度和生长速率。平面透射电镜像确定的穿透位错密度为2.50 ± 0.91×108 cm-2,高分辨透射电镜清晰的表明AlSb/GaAs界面出现90°位错阵列,其位错的平均间距为5.4 nm,这些位错有效的释放了应变能。在26 K到300 K的温度区间,量子阱的荧光峰主要是基态电子与基态重空穴发光,然而当温度超过76 K时,观察到了基态电子到基态轻空穴的发光。     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

聚苯乙烯／高密度聚乙烯反应共混的研究

在有机过氧化物和交联剂作用下，聚苯乙烯（ＰＳ）和高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）在ＨＡＡＫＥ流变仪的密炼室中进行反应共混。可以达到增韧ＰＳ的目的。共混时加入适量的苯乙烯（Ｓｔ）单体，并采用两次共混的方法，有利于提高共混物强度。文中研究了过氧化物的种类、过氧化物和交联剂的浓度、苯乙烯单体、两产共混的温度、第一次共混时ＰＳ／ＰＥ的比例等因素对反应加工过程中的流变行为、共混物冲击强度及形态的影响。     

三相异步电动机电源智能检测仪

本文介绍了三相异步电动机电源的过压，欠压和断相等故障的智能检测仪的软硬件设计。     

混凝土材料应变软化尺寸效应试验研究

通过无侧向约束的混凝土轴向受压试验,研究了混凝土材料应变软化的尺寸效应,定性得出:混凝土应变软化是与试件尺寸密切相关的,试件愈高,下降段愈陡,从而否定了将应变软化仅为材料特性的观点。     

用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.     

半导体自旋电子学的研究与应用进展

自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.