正丁基硫醇-正辛烷体系等压气液相平衡研究

利用双循环气液平衡釜测定了101.3 kPa下正丁基硫醇-正辛烷体系的气液平衡数据,并运用该实验结果,进一步获得组分的液相活度系数。实验数据经Herrington方法检验符合热力学一致性。用UNIQUAC热力学模型对该实验数据进行处理,计算结果与实验值的平均绝对偏差为0.050 5。     

两相电流互感器配电网零序电流构造方法

中性点非直接接地配电网大多只安装A，C两相电流互感器（TA），而现有单相接地故障选线方法基本都以零序电流为基础实现。如何在两相TA配电网中准确检测并隔离接地故障线路，成为长期困扰实际运行的技术难题。通过对暂态电流的频域和时域分析，找出B相暂态电流与A，C相暂态电流的对应关系，提出在A相和C相接地时由A相和C相暂态电流构造B相暂态电流，进而得到较精确零序电流的方法。通过大量仿真实验验证了所提出的构造方法的正确性。零序电流的成功构造为实现两相TA配电网单相接地故障选线提供了基础。     

吸入短寿命氡子体动物肺组织剂量与体重关系的探讨

本文介绍吸入短寿命氡子体的不同种动物肺组织吸收剂量与体重的关系。实验结果表明,吸收剂量随体重的增加而减小。     

大容量数据库如何避免ora-01555错误

本文分析了造成ora-01555错误的原因，并提出解决办法。ora-01555错误一直是DBA与developer争论的焦点，解决其问题应是双方协调的结果。     

单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

动力配煤高温复合固硫剂研究

分析了高温复合固硫剂各成分的作用，实验研究了在不同配比的燃烧试验下，各成分对燃煤着火和燃烧以及对炉渣固硫的影响，得出了该煤种高温复合固硫剂的最佳配方。     

用FEM/FIM研究单壁碳纳米管束

利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上 ,用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具 ,由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler Nordheim曲线的斜率变化 ,得出碳纳米管束样品逸出功的变化 ,再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法     

数字多媒体广播技术现状及前景

数字多媒体广播（DMB）是从数字音频广播（DAB）基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。     

一种应用于二次布局的有效划分方法

提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和hMETIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算法IMFFC,用它在二次布局中做划分.与前者相比较,这种方法虽然布局质量稍差,但速度更快.     

Origin of the threshold voltage instability in SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual layer gate dielectrics

The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling.