MEMS运动件的芯片外机械驱动方法

研究MEMS微结构的片外机械式驱动问题 ,介绍了在MEMS硅芯片背面贴合一块宏观尺度PZT片的驱动思想即PZT产生机械运动 ,在硅固定件与微运动件之间产生动量耦合 ,从而驱动微运动件。重点探讨脉冲驱动、振动驱动两大类基本驱动方法及其特点 ,介绍国外代表性研究结果 ,并提出对该方法进一步研究的观点与设想。     

低掺杂浓度Nd:YVO4激光器的输出特性研究

在对Nd:YVO_4晶体的掺杂浓度和晶体长度对激光器性能的影响进行了分析后,报道了利用掺杂浓度为0.3at％,通光长度为10mm的Nd:YVO_4晶体作为增益介质,带光纤耦合的激光二极管端面抽运的Nd:YVO_4激光器。在抽运功率为27.365W时,获得了14.85W的TEM_(00)模输出,光一光转换效率为60.49％,斜效率达64.5％。     

大功率半导体激光器全固态风冷散热系统

设计并制作了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,双 bar 阵列输出达 27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度±0.1 ;当环境温度达到 45 时,仍然能够保证激光阵列的正常使用。     

钕铁硼在低音扬声器磁路中的应用

介绍适用于低音扬声器的两种不同充磁方向磁体联合应用磁路。讨论了联合应用磁路所用钕铁硼磁体的压制成型、磁性能检验、装配和充磁。     

非均匀材料破坏过程数值模拟的边界元法研究

用格子模型和统计分布模拟非均匀材料性质的初始分布,针对二维非均匀材料格子模型建立了重复多子域边界元法求解方程。通过把各行子域集成为亚子域,然后对链状排列的亚子域应用域转移矩阵法进行求解。由于使用的域转移矩阵法对内存的要求仅略大于一个亚子域的求解,以及重复多子域法只需要进行一次系数矩阵积分,因而可以大大提高求解的规模和效率。在此基础上,对非均匀脆性材料在简单载荷作用下的破坏过程进行了数值模拟。采用重复多子域法和域转移矩阵法,可以得到子域内高精度的连续应力分布,为进一步研究非均匀材料裂纹萌生、扩展和破坏过程提供了基础。     

大功率速调管发射机水冷系统的设计

雷达发射机中大功率器件(如速调管)的强迫液体冷却是一种常用的冷却方式。本文根据某雷达发射机冷却系统的设计.介绍了大功率速调管发射机水冷系统的设计方法。     

多人决策的一类相对均衡解

本文分析由于决策人偏好不同而引起决策差异的多人多目标决策问题，提出了这类决策问题的一类相对均衡解的概念和求取方法。相对均衡解以决策群体偏好的加权集结为基础，能最大程度地反映每个决策人的偏好。文中研究相对均衡解的ＳＷＴ求取方法，并给出了求解的步骤。     

纤维共晶生长界面前沿三维扩散场解析

修正Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ关于在垂直生长方向截面上溶质扩散各向同性假设，求解三维Ｌａｐｏｌａｃｅ方程，获得纤维共晶生长界面前沿三维稳态扩散场，并证明Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ的二维模型是实际生长的二维简化和一阶近似，并用丁二腈（ＳＣＮ）一梓脑（ＣＡＭ）纤维共晶系统计算生长界面前沿溶质分布。     

镀Cu碳毡／环氧树脂复合的研制

研究了镀Ｃｕ碳毡／环氧树脂（ＣｕＣＦ／ＥＰ）复合材料的制备，并探讨了镀Ｃｕ量对碳毡电阻率，复合材料电阻率及其电磁屏蔽效率的影响规律，经合理工艺制得的镀Ｃｕ碳毡（４００ｍｇ．ｇ＾－１Ｃｕ－ＣＦ）含量为３００ｍｇ．ｇ＾－１ＣｕＣＦ／ＥＰ复合材料，其电磁屏蔽效率可在２０＝－１０００ＭＨＺ范围内达到６０ｄＢ。     

Modeling Spin-Dependent Transport in InAs/GaSb/AlSb Resonant Tunneling Structures

The Rashba effect resonant tunneling diode is a candidate for achieving spin polarizing under zero magnetic field using only conventional non-magnetic III–V semiconductor heterostructures. We point out the challenges involved based on simple arguments, and offer strategies for overcoming these difficulties. We present modeling results that demonstrate the benefits of the InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunneling diode (a-RITD) for spin filtering applications.