假单胞菌对聚硅氧烷树脂清漆涂层分解及防腐蚀行为的影响

利用微生物分析、EIS、SEM和FTIR等方法研究了海水中假单胞菌对聚硅氧烷树脂清漆涂层的分解及防腐蚀行为的影响。结果表明,浸泡时间在1 d内时,涂层在含假单胞菌海水中的腐蚀阻抗明显下降,而在无菌海水中则变化很小,表明假单胞菌在浸泡初期能够极大地降低涂层的腐蚀阻抗并能分解涂层。而随着浸泡时间的延长,两种环境下涂层的腐蚀阻抗均明显减小。涂层在含假单胞菌海水中浸泡1~30 d的腐蚀阻抗的减少量明显大于其在无菌海水中的减小量,表明浸泡30 d后假单胞菌对涂层结构造成了破坏。而当在长时间浸泡情况下,假单胞菌对于涂层腐蚀阻抗仅有轻微影响。无论是在无菌海水还是在含假单胞菌海水中,通过拟合电化学数据得到的等效电路模型中仅有一个时间常数。SEM和FTIR分析结果表明,浸泡30 d时假单胞菌能在一定程度上分解涂层。     

材料专业人才培养机制的改革与创新

新材料是21世纪三大产业之一,材料专业人才的培养极为重要。人才培养既要把握学科发展趋势,又要迎合社会需求,体现人与自然的和谐发展。文章提出了对材料专业改革方面的一些新举措,旨在探索培养新世纪材料人才的具体思路,为推进＂海南国际旅游岛＂建设输送优秀的材料专业人才。     

电场对(Ba0.97Ca0.03)(Ti0.82Zr0.18)O3无铅压电陶瓷铁电性的影响

采用溶胶-凝胶方法制备了(Ba0.97Ca0.03)(Ti0.82Zr0.18)O3无铅压电陶瓷。在电场1～8kV/cm下,频率为0.01～10Hz范围内,对其电滞回线进行了分析。实验结果表明(Ba0.97Ca0.03)(Ti0.82Zr0.18)O3陶瓷的电滞回线随电场值和频率的变化明显,在低电场下,随着频率的增加矫顽场(Ec)单调减小,在低频下剩余极化(Pr)增加;而在高电场下,随着频率的增加Ec单调增大,电滞回线达到饱和时,电滞回线随不同测试频率无明显变化。     

石墨烯负载金属钌用于锂-空气电池的正极材料

通过溶液法制备钌/石墨烯(Ru/G)复合材料,用作锂-空气电池的正极材料。通过充放电测试、循环伏安(CV)和电化学阻抗(EIS)研究了锂-空气电池的电化学性能。结果表明:Ru/G复合材料作为锂-空气电池的正极材料,明显提高了氧化还原反应的催化活性,改善了电化学反应性能。在电流密度为500mA·g-1时,首次充放电比容量分别为13136mAh·g-1和13578mAh·g-1,充放电的过电位降低了约0.35V。当固定充放电比容量为1000mAh·g-1,采用恒流充放电模式,可稳定循环30次。     

掺铁尾矿粉硫氧镁泡沫水泥复合材料的吸波性能

以铁尾矿粉为吸波剂制备了硫氧镁泡沫水泥复合吸波材料。首先对铁尾矿粉组成和形貌进行分析,再用矢量网络分析仪分别通过同轴管法和弓形法测量复合材料在2~18GHz频段的电磁参数和吸波性能。结果表明:铁尾矿粉主要矿物成分是低介电常数的SiO2和磁性Fe2O3,以无规则的片状、块状为主,颗粒小于10μm,是良好的透波和吸波介质;随铁尾矿粉掺量的增加,复合材料电磁参数的实部减小,虚部增大;随着厚度和铁尾矿粉掺量的增加,硫氧镁泡沫水泥吸波性能增强,当铁尾矿粉掺量为45%、厚度为15和18mm时,干密度为0.8~0.9g/cm3的硫氧镁泡沫水泥,可实现对2~18GHz全频段的吸收均优于-10dB。     

碳纤维膜多层复合结构吸波体的宽化设计与制备

依据电磁吸收传输线理论,利用碳纤维/环氧树脂复合,设计制备了一种结构吸波一体化复合吸波涂层。研究表明,通过调整碳纤维膜等效方阻,可实现吸波结构的宽化设计。采用3层膜结构复合设计,可实现4.8~18GHz频带吸收量都在-8dB以下,在5~7.8,13~18GHz频带吸收量都在-10dB以下,实现了超宽频吸收效果。     

网格布增强硫氧镁发泡水泥力学性能和吸波特性研究

采用物理发泡法制备了玻纤网格布增强硫氧镁发泡水泥,对其力学性能和吸波性能进行了研究。结果表明:对于干密度在800~850 kg/m3的硫氧镁发泡水泥,玻纤网格布可有效提高材料的抗折强度,而抗压强度基本保持不变;当玻纤网格布为3层/cm时,材料的电磁波吸收效果较好,而厚度的增加可进一步改善材料的吸波性能。对材料进行双层夹膜结构设计,当总厚度为8 mm,夹膜阻值为400Ω/时,在2.6~18 GHz的吸收量均低于-10 d B。通过玻纤网格布的增强和双层夹膜设计,实现了硫氧镁发泡水泥在保持较好力学性能的同时对吸波性能的改善。     

天然橡胶与异戊橡胶支链结构对比分析

使用核磁共振波谱仪对比分析了进口天然橡胶RSS-1与异戊橡胶分子链的支链结构。结果显示,RSS-1分子链的支链结构中环氧基团的摩尔分数为0.02%,羟基为0.16%,3,4-异戊二烯单元为0.20%;异戊橡胶的分子链支链结构中不含有环氧基团和羟基,3,4-异戊二烯单元的摩尔分数为0.94%。     

HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质

本文以氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对样品的物相、微观结构进行了表征.结果表明:合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好.纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固(VS)生长机制.Si3N4纳米带在360～ 496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有潜在的应用前景.     

不同铝源制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷及性能研究

以碳化硅(SiC)和不同铝源(多孔Al2O3/纳米Al2O3/Al(OH)3)为起始原料,通过原位反应结合工艺制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷。主要研究了不同铝源及温度对多孔陶瓷抗弯强度、气孔率、线性伸缩率等性能的影响,并采用XRD和SEM分析表征了样品的物相组成与断面形貌。结果表明:以多孔Al2O3为铝源,在1450℃下保温3h制备的碳化硅多孔陶瓷的综合性能最优,其强度为58 MPa,气孔率为41.9%;烧结温度对3种铝源所制备的多孔陶瓷具有相同的影响,随着温度的升高,强度逐渐升高,气孔率逐渐降低,线性收缩率逐渐增大。