聚甲基丙烯酸甲酯微球表面镀银的研究

用分散聚合法制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,依次用葡萄糖和硼氢化钠还原银氨溶液,在微球表面化学镀银,得到表面覆银的PMMA-Ag微球,对其进行了表征和分析。结果表明,微球分散性好,银层光滑致密,粒径较均匀,直径约2μm;XRD图谱显示无银以外的其它物相存在;红外光谱显示银与PMMA微球的表面可能存在相互作用,是银还原沉积的影响因素;热重分析表明,PMMA-Ag耐热性有所提高(26℃);制备使用的硝酸银占PMMA微球质量分数为55%时,样品的导电率最大(330 S/cm)。     

多元醇法制备银纳米棒的放大试验影响因素研究

采用银晶种为引导剂,以高浓度硝酸银溶液为银源,乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为盖帽剂,大规模制备银纳米棒。用扫描电镜,元素分析和X射线衍射对银纳米棒进行表征。结果表明,通过预加银晶种的方式替代添加金属盐类,最佳的反应条件为:搅拌速度为350 r/min,反应温度为160℃,硝酸银浓度不高于0.50 mol/L,采取体积放大6倍高浓度硝酸银制备银纳米棒时,需要提高银晶种的浓度为9.81 mmol/L,PVP/AgNO3摩尔比为1.3,该方法利用银晶种的引导作用,调控硝酸银的还原速度使之与银纳米棒的生长速度相匹配。     

二氧化硅表面化学镀银研究

通过二氧化硅(SiO2)表面硅烷偶联剂改性,继续以聚甲基吡咯烷酮(PVP)为稳定剂,银氨溶液为银源,葡萄糖与甲醛为二元还原剂,对SiO2表面化学镀银工艺进行了研究。最佳镀银工艺条件为:当AgNO3/SiO2质量比为1:1,葡萄糖浓度为0.1 g/mL,反应温度为30℃,反应溶液pH值为13.5,能够获得较高导电率的SiO2镀银(SiO2-Ag)复合粒子,最高导电率为2564 S/cm。使用红外光谱、X射线衍射、热重分析和偏光显微镜等表征产物的物化性能,结果表明:PVP参与化学镀银反应,使SiO2-Ag的热失重变大。基于实验结果探讨了二氧化硅化学镀银的反应机理。     

球磨法对氧化铝镀银材料导电性能的影响

使用球磨法对氧化铝镀银材料进行改性,最佳的工艺为：氧化铝与玛瑙球的重量比为20%,球磨频率为5.5 Hz,球磨时间为3 h,最高导电率为1887 S/cm,比未球磨的提高37倍。通过红外光谱仪、X射线衍射仪、热失重仪、偏光显微镜和悬浮测试了氧化铝镀银材料的性能,结果表明：球磨对氧化铝红外光谱没有影响,镀银后氧化铝的红外吸收振动峰消失;X射线衍射证明氧化铝镀银材料中有银的晶体峰出现,没有其它杂质峰;热失重表明镀银材料的残留变大,耐热性能提高;偏光显微镜显示球磨后氧化铝为片型结构,大小分布均匀;镀银材料悬浮溶液颜色较深,能够悬浮于乙醇溶液中,有望提高在高分子复合材料中的分散性能。最后阐述了球磨使得氧化铝大颗粒被破碎以及颗粒被磨削这两种作用,形成片,增加了表面积和包银效率,提高了颗粒之间导电网络的连接,使得导电率变大的机理。该导电材料期望在电磁屏蔽、导电胶粘剂和抗菌复合材料等诸多领域都有广泛的应用前景。