DZ125合金涡轮叶片表面点状缺陷分析

利用扫描电镜(SEM)及其附带的X射线能谱仪分析了DZ125合金叶片表面"墨点"缺陷分布区域和类型,发现夹杂物主要分布在叶背上,且缺陷由三种类型的氧化物构成:第一种为HfO_2,第二种为Al_2O_3,第三种为SiO_2。产生墨点缺陷的原因有二:一是DZ125合金中含有的活泼元素Hf在高温下与型壳材料发生反应;二是型砂中碱金属氧化物超标。     

2A12铝合金动态腐蚀-疲劳耦合失效机理研究

目的 针对某飞机吊挂结构用2A12铝合金开展预腐蚀后的动态腐蚀-疲劳耦合试验,很快发生断裂行为,寻找失效原因并提出解决措施.方法 利用自制的卧式动态腐蚀-疲劳试验装置,开展2A12铝合金预腐蚀后的腐蚀-疲劳协同试验直至样品断裂.同时,对比开展2A12铝合金腐蚀与疲劳交替试验,分析断口腐蚀形貌、元素含量、价态变化,获得2A12铝合金在两种试验方法下的腐蚀疲劳机理.结果 2A12铝合金主要由铝基体以及弥散分布其中的多种合金强化相组成.当有预裂纹时,2A12铝合金在腐蚀与疲劳交替作用下,很快发生疲劳断裂,且裂纹几乎贯穿整个断面,在整个裂纹附近存在较多的腐蚀产物Al2O3.2A12铝合金在预腐蚀后,基体与其表面的氧化膜之间形成腐蚀电池,初期的点蚀孔快速发展成明显腐蚀坑并产生大量腐蚀产物Al2O3,腐蚀坑底部由于应力集中现象而成为裂纹源,在动态腐蚀-疲劳耦合作用下快速萌生裂纹并呈放射状扩展,很快发生疲劳断裂行为,同时裂纹扩展区无腐蚀产物.结论 2A12铝合金用作飞机吊挂结构件时,必须进行表面防腐处理,避免形成腐蚀坑,减缓吊挂结构发生腐蚀-疲劳断裂进程.     

基于THz-TDR的芯片金属微带线缺陷检测

针对体积小、走线密集、集成度高的封装芯片缺陷检测,目前的主要检测手段存在精度低、周期长等缺点。为弥补传统检测方法的不足,作者结合太赫兹技术与时域反射技术,探究对芯片上金属导线缺陷检测的可行性。首先在不同宽度的金属微带线上加工了不同比例的凸起、凹槽缺陷,模拟集成芯片中金属导线的不完全开/短路等阻抗不匹配情况,利用太赫兹时域反射计采集其时域反射信号。然后根据时域反射脉冲对应的时间分别对不同缺陷程度、不同缺陷类型进行定性分析,并精确计算出了芯片上金属微带线的缺陷位置。最后利用有限元分析法对硅基底上存在缺陷的金属微带线进行仿真分析,与实验结果具有良好的一致性。该研究表明,太赫兹技术与时域反射技术结合能够实现对芯片上金属导线缺陷的诊断检测,为集成芯片的缺陷检测提供了经验参考。     

大功率DC/DC电源模块满功率壳温控制方法

论文基于大功率电源模块的工作原理及特点,介绍了其老炼原理及标准,提出了老炼过程中存在的几个问题。通过热特性测试和仿真、发热区域红外热成像分析结合老炼试验方案设计等手段,解决了VICOR公司生产的V24A24M300BL大功率电源模块的满功率老炼问题,提出了大功率系列电源的壳温控制方法,说明了热阻参数二次测试的必要性,最后给出了大功率电源模块的老炼流程及方法。     

沉积时间对钼薄膜结构和热疲劳性能的影响

采用直流磁控溅射在不同沉积时间条件下制备钼薄膜,并用电子束热负荷装置对薄膜进行热疲劳性能试验,利用X射线衍射仪(XRD)对其结构和残余应力状态进行测试分析,用扫描电镜(SEM)对钼薄膜热疲劳前后形貌进行表征。结果表明:薄膜沿(110)取向择优生长,呈柱状晶结构,薄膜内存在张应力,残余应力随沉积时间增加而逐渐减小。热循环试验后均未出现薄膜脱落现象,但均产生表面裂纹。随着沉积时间由4h增加至8h,疲劳裂纹由穿晶断裂的直线裂纹转变为沿晶开裂的曲折裂纹,同时成膜过程中的退火效应使薄膜的晶粒长大、晶粒结构更加趋于完整、残余应力减小,从而使薄膜疲劳裂纹减小。     

基于大容量FLASH存储器的FPGA重构系统的设计与实现

随着FPGA在各种工业应用越来越广泛,FPGA重构技术在快速的FPGA自动测试中应用越来越广泛.传统的基于JTAG方式和基于配置芯片的FPGA重构方案由于存储配置时间长,配置芯片成本高等原因越来越满足不了快速的多重配置需求.提出了一种基于大容量FLASH存储器的FPGA重构技术,方案采用FPGA作为主控制器,大容量FLASH芯片用于存储目标FPGA的配置数据,可以实现绝大部分不同型号的FPGA器件的快速多重重构,从而满足FPGA芯片快速自动测试需求,提高了整体程序开发和测试效率,节约了芯片的测试成本.     

DZ125L合金后挡块机械加工裂纹成因分析

采用DZ125L合金制备某型航空发动机后挡块时,发现经机械加工后工件大批量产生磨削裂纹缺陷。通过化学成分分析、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)等方法,对裂纹的形成原因进行了研究。分析其主要原因是由于合金在真空浇铸过程中,合金熔炼真空度过低,或者型壳放置过久内部型面剥落,导致合金中存在大量Al2O3夹杂物所引起的。采用新的型壳并在真空度高于1×10-1条件下浇铸即可避免此类缺陷产生。