气相色谱-质谱联用仪法测定含氟橡胶中全氟辛酸的含量

建立了气相色谱-质谱联用仪法测定含氟橡胶中全氟辛酸含量的方法。样品用10mL甲醇超声提取45min,冷却至室温,加入1.0mL甲醇,滴加5～7D乙酰氯衍生试剂,密封后置于60℃超声水浴衍生60min,取下萃取瓶冷却。加入6.0mL水和5.0mL正己烷,充分摇匀萃取,取上层有机相过0.45μm滤膜,上机分析。该方法全氟辛酸的检出限可达0.48mg·kg~(-1),相对标准偏差为3.5%。线性方程的相关系数r=0.999,回收率为90%～93.7%。该方法提取时间短,提取效率高,衍生步骤简单,适用性强。     

具有“芯 - 壳”及纳米畴结构的 X9R 型钛酸钡基陶瓷介电性能研究

高容高温是下一代片式多层陶瓷电容器的重要发展方向,因此,开发具有高容高温特性的 X9R 型钛酸钡基介质材料,对于促进高容高温多层陶瓷电容器的发展具有重要意义。该研究以钛酸钡(BaTiO 3 ,BT)为原料,利用传统固相反应烧结法,并通过调节钛酸铋钠(Bi 1/2 Na 1/2 TiO 3 ,BNT)的基体固溶量和稀土元素铌(Nb)的掺杂量,成功制备出具有较高室温介电常数和较宽容温特性的 Nb 掺杂 BT-BNT 介质体系。在此基础上,对 X9R 型介质材料纳米畴及“芯-壳”结构与介温特性之间的关系进行了研究。实验结果表明,当 BNT 固溶量为 10 mol%,BT-BNT 的居里温度为 190 ℃,晶粒具有典型的 90°铁电畴;在 0.9BT-0.1BNT 固溶体中掺杂 2.0 mol% 的 Nb 元素,介电常数为 1 800,损耗 ＜2.0%,容温系数(－55～200 ℃) ≤ 15%,晶粒形成明显的“芯-壳”结构,其中 “芯”部具有小尺寸的纳米尺度铁电纳米畴,“壳”部为 Nb 均匀分布的 BT-BNT 固溶体。因此,0.9BT-0.1BNT-2.0Nb 陶瓷是一种极具前景的 X9R 型多层陶瓷电容器用电介质材料。     

X7R特性MLCC用低温烧结铜端电极浆料的研究

针对X7R特性MLCC用端电极浆料领域,结合采用封端烧结制样后电镜分析的表征方法、预分散处理技术,成功研发一种低温铜端电极浆料,用于匹配贱金属X7R特性MLCC产品的生产。实验结果表明:用本低烧铜浆制作的MLCC端电极,具有良好的电性能及可靠性,完全满足MLCC产品的使用要求。     

ZnO-Bi2O3-BN-Sb2O3基压敏陶瓷的物相演化及电性能

采用还原-再氧化工艺制备了ZnO-Bi2O3-BN-Sb2O3(ZBBS)基压敏陶瓷,系统研究了不同再氧化温度下ZBBS基压敏陶瓷物相演化与电性能之间的关系。结果表明,再氧化温度低于800℃时,样品非线性特性较差;当再氧化温度升高到850℃时,由于富Bi2O3相的形成,使得压敏陶瓷具备明显的非线性特性,其非线性系数α=39.2,漏电流密度JL=0.07μA/cm2。采用还原-再氧化工艺制备的压敏陶瓷有望应用于贱金属内电极多层片式压敏电阻(MLVs),以降低MLVs生产成本。     

片式无源温度补偿衰减器——原理、设计、制作、应用及发展趋势

无源温度补偿衰减器主要用于稳定射频微波放大器的增益随温度的变化。本文对该类器件的原理、设计、制作、应用及发展趋势等各方面做了系统的介绍。相对于其他补偿方案,使用此类器件具有设计简单、成本低、性能优异等特点。无源温补衰减器的核心设计在于选取正温度系数(PTC)和负温度系数(NTC)热敏电阻的阻值及其温度系数,以使衰减量随温度接近线性变化而保持特征阻抗基本不变。目前,此类器件主要采用厚膜工艺制作,其关键材料为系列化的热敏电阻浆料。薄膜化是器件未来发展的重要方向,而其中NTC热敏电阻的薄膜化仍面临重大的技术挑战,需要解决材料性能及其系列化等难题。     

制备工艺对薄介质MLCC介电强度的影响

为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC。研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响。结果发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善介质致密性和电极连续性,有效提高薄介质MLCC的介电强度。设置合适的加湿气氛和预烧温度,才能将残留碳量降低到符合要求的范围。生倒将生坯芯片的圆角半径控制为105～143 μm,可以防止陶瓷芯片损伤和镀液渗入,提高薄介质MLCC的击穿电压值。     

一种5G通信用LTCC带通滤波器的设计与实现北大核心CSCD

基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,使用HFSS三维电磁场软件设计仿真了一种5G通信用LTCC带通滤波器。该带通滤波器使用电感耦合和电容耦合双耦合原理,采用半集总结构设计,经过设计仿真优化,结合LTCC产线制程工艺,制备完成了一款小型化5G通信用滤波器。测试仿真结果对比:实际测试结果和仿真设计结果接近,滤波器中心频率为3.5 GHz。该滤波器适用于5G通信领域终端设备。