基于卷积神经网络的5G蜂窝网络无线定位方法

5G蜂窝网络发展迅猛，其覆盖面积将逐渐增大，因此使用5G蜂窝网络进行定位是有研究潜力的研究方向。本文提出一种新的深度学习技术来实现高效、高精度和低占用的定位，以代替传统指纹定位过程中繁重的指纹库生成以及距离计算。该方法建立了一个特殊的卷积神经网络，并根据5G天线信号的接收信号强度指示、相位和到达角等特征量，选择合适的输入数据格式构造样本组建训练集，对该卷积神经网络进行训练。训练得到的卷积神经网络可以替代指纹定位中的庞大指纹库，非常有利于直接在5G移动设备端实现定位。虽然卷积神经网络在训练过程中需要大量时间，但在训练完毕后直接进行分类定位的速度非常快，可以保障定位实现的实时性。本文所实现的卷积神经网络权重与偏置所占内存不到0.5 MB，且能够在实际应用环境中以95%的定位准确率以及0.1 m的平均定位精度实现高精度定位。     

带式输送机阀控调速型液力偶合器低速状态的模糊控制系统设计

针对带式输送机中应用的阀控型偶合器在20%~30%低速验带状态下发热量较大,不适合长时间运行的问题,结合模糊控制的原理设计了模糊控制器,优化设备的运行。通过模糊控制的仿真试验,可实现阀控型偶合器在低速状态下运行时间延长。     

SA508-3钢铸态粗晶组织热压缩变形行为与晶粒演化规律

为获得SA508-3钢铸态粗晶组织热变形过程中的晶粒细化和均匀化规律,通过Gleeble单道次高温热压缩实验(950℃~1250℃,0.001s-1~1s-1,真应变ε=0.8),发现铸态粗晶在低温硬化-回复阶段时的应力水平较锻态细晶的略高,通过金相分析发现,该现象是由铸态粗晶组织含有大量形变孪晶及其较差的变形协调性所致。同时分析了不同变形条件(温度和应变速率)对再结晶晶粒尺寸和混晶程度的影响规律,得到了动态再结晶完成后,变形温度为1 050℃~1 200℃、应变速率为0.01s-1~1s-1的变形参数对SA508-3钢铸态粗晶组织具有较好的细化晶粒作用,最高晶粒度可达6级~7级;1050℃~1200℃、0.001s-1~0.1s-1的变形参数可有效地降低SA508-3钢铸态粗晶组织的混晶程度,动态再结晶完成后组织比较均匀。     

Burkholderia thailandensis E264/pBMTL3-tdpR发酵生产抗癌药物ThailandepsinA的研究

在伯克氏菌Bth264野生株产新型抗癌药物Thailandepsin A以及调节基因tdp R正向调控Thailandepsin A生物合成的基础上,利用基因工程菌Bth264/p BMTL3-tdp R发酵生产Thailandepsin A,以提高产量。以0.5%乳糖为诱导剂,确定最佳诱导条件:发酵15 h添加乳糖,诱导时间6 h;通过单因素实验,确定葡萄糖和胰蛋白胨作为碳氮源、装液量65/250 m L以及接种量1%;同时结合优化发酵培养基进行发酵,Thailandepsin A产量达到252.14 mg·L-1,比优化前的产量提高56%;另外在发酵过程中,添加大孔树脂HP-20原位吸附产物,Thailandepsin A产量可达283.75 mg·L-1,比不加树脂提高13.8%;最后,基于RT-PCR和比较Ct值法,基因工程菌和野生菌相比,Thailandepsin A生物合成基因tdp B、tdp C1的转录水平分别提高11.4倍和6.0倍,对应的产量增加4.6倍,从而在很大程度上说明调节基因tdp R的过表达促进生物合成基因转录水平的提高以及产量的增加。     

泛型直线螺线管型电磁阀运动分析和改进的电压控制

在直线螺线管型高速电磁阀的整个运动过程中，由于铁磁材料的磁化需要一个动态过程，导致其电磁吸力随着铁磁材料的磁化而变化。为了获得一种不依赖电磁阀材料各异性的最优电压控制方法，从静态磁场出发，由电磁阀的理论静态吸力公式建立电磁阀衔铁的动力学模型，通过分析电磁阀的衔铁启动过程，上升运动过程和下落过程，得到各阶段的位移、电流随时间的变化。然后经过前面过程分析得到了采用两段梯形电压控制电磁阀的控制策略，实现了精准控制占空比的目的。     

基于ANSYS软件的人字形屋架的静力分析

利用ANSYS对人字形屋架进行合理的有限元建模;并利用ANSYS对人字形屋架进行静力分析,分析各节点的位移、支座反力、结构变形、应力分布等,对实际应用具有重要的指导意义。     

对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究

研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。     

基于NAND FLASH高速海量存储系统设计

文中以宽带雷达信号记录为背景,介绍了一种基于NAND FLASH的高速海量存储系统的组成机制和设计方案。系统采用NAND FLASH作为存储介质,FPGA作为主控芯片,通过跨LUN流水操作和ECC校验,实现对高速实时数据的可靠存储。并提出一种有效的坏块管理机制,较为高效地完成坏块管理,同时节省了系统资源。实验结果表明,系统可以以600MB/s的写入速率,300MB/s的读取速率稳定工作。为宽带雷达信号的实时记录研制提供了有力的技术支撑。     

瞬态非傅里叶导热效应判据的探讨

讨论了通用傅里叶导热定律的数学模型,推导了半无限大物体在第一类边界条件下的基于非傅里叶导热定律的双曲线型偏微分方程的解析解。通过分析非傅里叶导热定律在瞬态条件下温度分布的变化过程,提出了非傅里叶导热效应的瞬态判据以及非傅里叶导热的作用范围,对研究工程中瞬态导热问题(如激光处理,电子束处理等)有重要意义。     

LQG/H∞控制设计:动态反馈控制

本文讨论了综合LQG与H∞优化的控制器设计问题.这个反馈控制器是在满足某个给 定传递函数矩阵的H∞范数约束条件下,使得系统的给定的二次性能指标达到最小的控制器.