磨料有序排布电镀砂轮的制备及其把持力研究

为解决电镀砂轮磨削加工中容屑空间不足的问题，采用点胶微粘接的方法制备了磨料有序排布的电镀砂轮，分析了磨料粘接效果和镀层力学性能。通过SEM分析了磨料/镀层/导电胶的结合界面，并进行了干磨削试验。研究结果表明，直径约为磨料粒径40%的胶点可粘接住磨料，单个胶点上粘接多颗磨料的占比小于6%；双脉冲电镀工艺制备的镀层显微硬度大于500HV，表层残余应力小于100MPa，磨料/镀层/导电胶之间的界面贴合紧密，无明显缺陷；砂轮在磨削时没有出现磨料脱落现象。     

惯性往复振动机械阻尼值设计的理论研究

建立了双旋转偏重激振的惯性往复振动机械的状态方程,将该状态方程与两驱动电机的状态方程一起组成机电耦合系统的数学模型,对不同阻尼的机电耦合数学模型进行数值求解,得到不同阻尼时系统的瞬态和稳态解.通过综合分析系统阻尼对最大共振振幅、启动时间、稳态功率消耗及阻尼力的影响,提出了惯性往复振动机械阻尼率的合理设计值为0.1左右.     

高大平房仓U型通风道的优化设计

针对常用的普通U型通风道采用CFD技术,对高大平房仓的机械通风降温过程进行了优化设计,并进行了动态数值仿真.研究表明:改进后的小u型通风道采用反对称的结构设计,充分考虑了粮仓的实际温度场特征,改善了通风均匀性,消除了通风死区,有利于降低能量损失.     

FCM和LS-SVM相结合的粮虫图像分割算法

模糊C均值(FCM)聚类算法广泛用于图像的自动分割,但是该算法对噪声十分敏感。因此提出一种改进的算法,在传统的FCM聚类的基础上,结合LS-SVM对图像进行分类。该方法对噪声有很强的鲁棒性和对像素聚类的正确性。     

基于局部光栅补全的反光物体三维重建

针对结构光三维重建过程中,因表面强反光造成光栅形变而导致的相位误差、重建精度降低的问题,提出一种基于局部光栅补全的重建方法。首先对被测物体自身材料特性以及镜面反射角等引发三维重建点云模型缺失现象的反光因素进行分析。其次在相位展开前,引入局部光栅补全法,对反光区光栅丢失部分进行补全,以相移法加互补格雷码重建法为基础提高相位展开精度。最后,通过搭建单目结构光三维重建系统,对平面度误差在0.5 mm范围内的反光矩形铝合金板进行三维重建。实验表明,本文提出的改进方法可以有效补全因物体表面反光造成的重建缺失,其相位解码信息更加完备,重建率相较于传统方法提升了25%,平面度误差率降低了28.2%。     

矩阵分析法在胶辊砻谷机工作参数优化中的应用

在单指标正交试验分析的基础上,利用矩阵分析法探讨了胶辊砻谷机工作参数对砻谷工艺效果的影响和多指标综合优化评价的问题.结果表明:工作参数对脱壳率、产量、破碎率和胶耗等工艺性能指标均产生显著的影响,其主次顺序依次为进机流量、辊间压力、线速差与快辊线速,得出了胶辊砻谷机工作参数优化配置的最好水平组合搭配.     

基于机械力作用的糙米显微结构分析

为了研究糙米受机械力时应力裂纹的生成扩展机理,采用TMS-PRO质构仪分别测定心白、腹白、无垩白糙米的压缩力学特性,并对试验前和试验后的糙米进行切片显微观察。结果表明:无垩白糙米与腹白糙米能承受的压缩力均大于心白糙米,且无垩白糙米与腹白糙米能承受的压缩力相差不大。分析显微图像发现正常收获的糙米籽粒内部已经存在不连续微裂纹,在受到机械力作用后,糙米籽粒内部形成连续微裂纹,且以胚乳中心部位呈辐射状向表皮扩展。     

基于排样优化与车间调度的粮机装备智能制造平台研究

针对我国粮机装备制造业的现状与存在的问题,在智能制造的发展趋势下,提出了构建智能化、低成本、高效率的粮机装备智能制造平台的思路。分析了粮机装备制造业在制造成本与生产效率方面的智能制造需求,提出了以切割下料排样优化与车间作业调度优化为核心的粮机装备智能制造技术体系。详细给出了平台的关键技术与实现方法,主要包括型材零件切割下料排样优化、板材零件切割下料排样优化与车间作业调度优化等核心内容。在此基础上,设计并开发了基于排样优化与车间调度的粮机装备智能制造平台。该平台能够较好地增强粮机企业的智能化制造程度,降低制造成本,提高生产效率。     

烟机用ZL101A铝合金铸件变形的防治

针对某铸造厂生产的部分铝合金铸件出现扩口变形、翘曲变形、内腔变形等问题,从设计、型砂、浇注系统和抛丸工艺等方面分析了原因,提出了增加工艺拉筋、控制型砂强度、改进铸造工艺和抛丸工艺等措施。经小批量实验和批量生产验证,达到了减少变形,合格率提高了40%。提高了生产效率,创造了良好的经济效益。     

热循环条件下高密度倒装微铜柱凸点失效行为分析

基于圣维南原理,采用全局模型和子模型相结合的建模方针,建立倒装芯片封装的有限元模型.分析热循环条件下微铜柱凸点的应力及应变分布,研究高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效机理,对关键微铜柱凸点的裂纹生长行为进行分析.结果表明,距芯片中心最远处的微铜柱凸点具有最大的变形与应力,为封装体中的关键微铜柱凸点;累积塑性应变能密度主要分布在关键微铜柱凸点的基板侧,在其外侧位置最大,向内侧逐渐减小,这表明裂纹萌生在基板侧微铜柱凸点外侧,向内侧扩展,试验结果与模拟结果相一致.