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51.
52.
基于负序电流控制思想同时全面考虑系统电压不平衡对链式静止同步补偿装置的影响进行控制策略的研究.链节直流侧电容电压平衡控制是实现工程应用的关键问题,针对该问题设计了3级直流电压控制策略.第1级为全局平均直流电压控制,生成装置整体参考指令,解决装置整体直流侧电压稳定问题;第2级为换流链平均直流电压控制,对装置负序电流进行控制,实现相间直流侧电压平衡;第3级为链节直流电压控制,对每个链节分别进行控制,实现链节平衡.此处设计的控制策略通过实验证明具有良好的性能. 相似文献
53.
催化剂的粒径对其催化性能有很大影响,为了提高催化剂的性能及制备效率,提出了一种微波等离子体辅助溶胶凝胶法制备催化剂的方法,制备了物质的量比n(Ni)∶n(Ce)=1∶10、1∶20、1∶100的Ni/CeO2催化剂.对其甲烷干重整催化性能进行评价.结果 表明:n(Ni)∶n(Ce)=1∶20时对甲烷干重整活性最高.并且微波等离子体辅助溶胶凝胶法制各催化剂(n(Ni)∶n(Ce)=1∶20)的活性和高空速转化性能均高于传统浸渍法制备的催化剂(n(Ni)∶n(Ce)=1∶20).对微波等离子体辅助溶胶凝胶法和浸渍法制备的催化剂(n(Ni)∶n(Ce)=1∶20)的XRD、SEM表征:XRD谱图显示微波等离子体辅助溶胶凝胶法制备催化剂CeO2峰的半高宽大于浸渍法制备的催化剂;通过SEM表征得到微波等离子体辅助溶胶凝胶法)浸渍法)制备的催化剂颗粒主要分布在50~100 nm(100~150 nm),约占比41%(37%).基于对放电光谱的分析,微波等离子体辅助溶胶凝胶法引入了NH、OH等活性基团,并且提供了148 K/ms的淬冷速率,较高的淬冷速率会有效降低催化剂粒径,提高催化活性. 相似文献
54.
针对目前发输电系统可靠性综合评估算法中蒙特卡罗仿真效率不高的问题,提出了一种利用模糊自组织映射(SOM)神经网络进行状态筛选的可靠性快速评估算法。SOM神经网络具有拓扑特征保持性质,经过训练后的SOM网络具有模式聚类能力,即不同的运行模式被映射到输出平面的相应位置,因而能对暂态稳定性进行判别。由于SOM具有学习训练时间短的优点,因而特别适于可靠性评估。将模糊SOM网络和序贯蒙特卡罗仿真结合在一起对系统状态进行筛选,首先将明显不失稳的无效系统状态筛掉,大大减少了需要完全评估的系统状态数,从而显著提高了综合评估的效率。通过对IEEE—RTS标准算例系统的计算,结果表明所提算法快速有效,具有良好的应用价值。 相似文献
55.
在3种不同凝固条件下,制备了Bi-Mn合金,研究了合金中MnBi相织构组织随磁感应强度和凝固时间的演化.结果表明,合金从265~355℃的固液两相区凝固时,随1.0T磁场中凝固时间的延长,取向棒状MnBi晶粒沿磁场方向聚合长大,长径比增大约50%;合金从355~446℃的固液两相区凝固时,随外磁场强度的增大(最大达10.0 T)和凝固时间的增加,取向片状MnBi晶粒沿磁场方向聚合长大,形成疏松不规则的粗大棒状晶粒;合金从完全熔化状态凝固时,以0.15℃/s的速度冷却可以获得MnBi相织构组织,以0.015℃/s或更小的速度冷却则不能;延长磁场中Bi-Mn合金的凝固时间不能有效提高材料的剩磁性能. 相似文献
56.
发展我国数控机床产业之管见 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用数字和事实说话,客观地评估了我国目前对数控机床的旺盛需求和开拓、占领国内外数控机床市场的能力,对我国机床工业如何走出低谷提出“三方携手,两路并进”的策略,并建议政府有关部门尽快为我国数控机床产业创造一个宽松和平等竞争的发展环境。本文材料翔实,立论严谨,观点鲜明,对业内读者很有参考价值。 相似文献
57.
为进一步研究工业中对聚酰亚胺取向膜基板进行摩擦取向处理时,在取向膜上产生静电残留,影响液晶分子取向的均匀性的问题,文章利用Dimension3100型扫描探针显微镜(SPM)在聚酰亚胺表面摩擦产生了微纳米尺度的电荷,并对表面电荷的生成规律进行了研究。当SPM的导电探针在聚酰亚胺表面进行加工或摩擦操作时,会在探针与薄膜接触区域产生电荷,生成的电荷可以用静电力显微镜(EFM)进行观察。讨论了生成电荷的极性、数量、区域大小与摩擦过程中探针加工速度,所加电压大小、正负之间的关系,为在微观尺度探索聚酰亚胺表面电荷生成规律及生成机理提供了一种新的途径。 相似文献
58.
59.
用Pb(CH3COO)2·3H2O、Sc(CH3COO)3·xH2O和C10H25O 5Ta为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SO2/Si基片上成功地制备出ABO3钙钛矿型结构Pb(Sc1/2Ta1/2)O3(PST)铁电薄膜.该薄膜是研制铁电微型致冷器和非致冷热释电红外焦平面阵列的优选材料.对制备出的PST薄膜进行了介电、铁电和热释电性能测试.测试得到在1 kHz下PST薄膜的介电常数为570,介电损耗为0.02.铁电性能良好,剩余板化强度为3.8~6.0 μC·cm-2,矫顽场为40~45 kV·cm-1.热释电系数为4.0×10-4~20×10-4Cm-2K-1. 相似文献