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71.
本文讨论了以射频磁控溅射为主要工艺制备的TiO2/SiOxNy/SiO2结构高k栅介质.文中重点讨论了不同成分界面SiOxNy薄膜作用下,栅介质整体电容-电压特性的异同,并论述了SiO2界面层在保证栅介质良好电学性能方面的作用. 相似文献
72.
73.
主从式S7-200 PPI通信与MCGS监控组态设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文结合一啤酒自动装箱系统介绍了主从式S7-200 PPI通信的设计方法,说明了MCGS监控组态的设计思想. 相似文献
74.
单片机课程的教学与实验改革 总被引:10,自引:0,他引:10
方怡冰 《电气电子教学学报》2006,28(3):76-79
单片机课程是电子信息类专业的重要课程,本文介绍了单片机课程的改革实践与体会,着重从教学方法,实验手段两方面阐述改革的方法,并以SPI模块为例介绍PROTEUS软件开发过程和设计分析过程,实践证明能加深学生对PIC16F877单片机工作原理的理解,也锻炼了学生进行软硬件综合开发的能力。 相似文献
75.
用多FIFO输入缓冲队列消除HOL阻塞 总被引:1,自引:0,他引:1
鄂大伟 《计算机应用与软件》2001,18(2):17-24,41
对于输入端口具有单输入FIFO(先入先出)队列的输入缓冲信元交换机(如ATM),影响交换吞吐率的主要因素是信头阻塞(HOL)。本文分析了在单FIFO队列情况下的信元阻塞的原因及解决办法,给出了输入端口具有多FIFO队列在信元交换结构,描述了基于N-FIFO输入缓冲的排队策略和迭代匹配算法,并对它们的性能进行了分析。 相似文献
76.
基于WDM的全光网结构与应用技术 总被引:1,自引:1,他引:0
鄂大伟 《计算机工程与设计》2001,22(6):83-88
介绍了基于波分复用(WDM)的全光网的概念、光交换技术及特点,讨论了WDM全光网的网络结构及关键部件,并给出一个基于WDM技术的ATM光交换机结构。 相似文献
77.
介绍了ATM的交换结构与几种输入了队例模型,提出了在多输入队列的无阻塞的交换结构中采用的PIM算法,减少FIFO HOL阻塞,并对基于PIM时序的交换模型及其性能作了简要分析。 相似文献
78.
79.
文章利用化学镀在碳纤维CNFs表面制备了镍金属纳米薄膜,并对其FED器件场发射特性进行测试。结果证明,碳纤维化学镀镍之后,其场发射特性显著提高。当化学镀时间为30分钟,pH值为4.6时,碳纤维化学镀镍的增重率ΔG/G为49.5%,扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)研究表明,碳纤维CNFs表面覆镀的Ni金属薄膜表面平整、致密。当电压为832V时,出现亮点,当电压为1,456V时,场发射电流强度I为0.65mA。数值计算可得,镀镍碳纤维CNFs的场增强因子β为1,376,是碳纤维场增强因子的4.83倍。 相似文献
80.
TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y层叠结构高k栅介质比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以射频磁控溅射为主要工艺,制备了TiO2/SiO2和TiO2/SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明,SiO2和SiOxNy等界面层的引入有效地降低了TiO2栅介质电荷密度及漏电流,而不同层叠结构的影响主要通过界面电学性能的差异体现出来。对漏电特性的进一步分析显示,TiO2/SiO2结构中的缺陷体分布和TiO2/SiOxNy结构中的缺陷界面分布是导致电学性能差异的主要原因。综合比较来看,TiO2/SiOxNy结构栅介质在提高MOS栅介质性能方面有更大的优势及更好的前景,有助于拓展TiO2薄膜在高k栅介质领域的应用。 相似文献