基于word2vec的配电网恶意控制指令检测算法

现有的配电网恶意控制指令检测方法基于电力系统运行规则,但规则维护困难、规则匹配耗时较长。根据配电网上行测量信息和下行控制指令之间存在的上下文一致性关系,提出基于word2vec的恶意控制指令检测算法。在配电网仿真平台模拟各类工况并获取标注数据集,结果表明,该算法能够取得100%的精确度和87.2%的召回率,具有较高的检测精度。     

半导体器件静态直流参数能力比对方法

实验室间能力比对作为重要的外部质量评价手段,被越来越多的实验室所采用,它不仅是质量控制的一种有效方法,也是衡量各实验室间能力的一个重要手段.而半导体器件静态直流参数是器件基本参数之一,是半导体器件筛选环节必检项目.该文以半导体器件静态直流参数为例阐述实验室间能力比对的方法.     

高压直流输电系统保护专利技术综述

文章主要分析了直流输电系统中最重要的两个保护区——线路保护领域和换流器保护领域的专利申请现状,梳理了上述两个领域全球专利申请趋势、重要申请人、技术分支、技术演进以及核心专利,期望该综述能够帮助相关领域审查员全面了解线路和换流器保护领域的发展历程和热点技术发展状况,以提高检索效率和审查效率。     

不同制样方法对直流辉光放电质谱法测定氮化硼中27种杂质元素的影响

讨论了3种制样方法对直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)检测氮化硼中的Na、Mg、Al、Si等27种杂质元素的影响。3种制样方法分别如下所示:方法1,直接把氮化硼压在铟薄片上;方法2,把氮化硼压在铟薄片上后,再盖上一层铟罩;方法3,把压碎后的氮化硼放在针状钽勺上。在优化的辉光放电参数下对比了3种不同制样方法对基体信号强度的影响。试验表明:在方法1中,当氮化硼尺寸约为3mm×3mm,厚度小于1mm时,基体¹¹B的信号可达1.8×10⁷ cps;在方法2中,选择铟孔大小合适的铟罩,基体¹¹B的信号可达1.0×10⁷ cps;方法3获得基体信号强度比方法1、方法2高一个数量级。大部分元素在中分辨率下可获得较好的结果,而对于在高分辨率下也较难分离的元素,可选择丰度较低的同位素在中分辨率下进行测定,如Ge选择⁷⁰Ge⁺,Se选择⁸²Se⁺,Cd选择¹¹¹Cd⁺,Sn选择¹¹⁹Sn⁺,Ag选择¹⁰⁹Ag⁺,Pt选择¹⁹⁴Pt⁺。氮化硼中的杂质元素含量可通过样品片中待测元素含量减去来自于铟薄片或钽勺中该元素贡献的含量来计算获得。将样品平行测定5次,相对标准偏差均在20%以内。对于Al、Si、Ti等元素的测定,3种制样方法的测定结果基本一致;方法1、方法2中检测到的In含量较大,使得铟中的Ni、Cu对氮化硼的测定值影响较大;方法3由于钽中Fe、Cu的贡献导致氮化硼中Fe、Cu的检测值较大,但方法3获得的基体信号强度大,可降低部分元素的检出限,如Cr、Mn、Ga、Ge等。综上所述,方法3为优选方法。     

基于ＰＩＤ控制算法的直流微网容错控制方法研究

构建直流微网容错控制对象模型，调节直流微电网的输出回路参数；以输出功率、直流微网的 参考电压、弱电网下系统惯性响应特征等为约束参量，构建直流微网容错控制目标函数，在不同电网强度下 进行直流微网容错控制的参数自整定性调节，采用无功环比例积分控制方法进行直流微网容错寻优分析， 建立模糊 ＰＩＤ控制模型，采用变结构的模糊 ＰＩＤ控制方法进行直流微网容错控制过程中的自适应加权学习 和误差反馈调节，实现直流微网容错控制改进设计。仿真结果表明，采用该方法进行直流微网控制的容错 性能较好，输出稳定性较强，具有较好的直流微网输出增益。