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12.5×10^4 m3储油罐底板阴极保护方案比选 总被引:3,自引:0,他引:3
对国内外储油罐底板内外侧各种阴极保护方法进行了分析对比。重点介绍了茂名分公司12.5×10~4m~3储油罐底板内外侧阴极保护方案:内侧为涂料加铝合金牺牲阳极阴极保护;外侧为涂料加混合金属氢化物网状阳极阴极保护。 相似文献
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随着VLSI工艺技术的发展和芯片规模的不断增加,尤其是在SOC设计中,原有的那种供电压焊块只能位于芯片边缘的确定益的模式已经不能够满足整个电路性能的需要。在很多情况下,依靠在电源线的拓扑结构确定后的线宽优化,还是无法保证在有限的布线资源下为电路提供可靠的高性能的供电需求。由此,出现了在芯片边缘上浮动放置压焊块及在芯片的顶部放置供电压焊块阵列的方法。文中提出了一种用于SOC设计中新的基于树型结构的浮动压焊块的电源/地线网络优化算法,经过MCNC电路实例测试后得到明显的优化结果。 相似文献
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介绍了地线的干扰机理以及减小地线干扰的对策和接地的基本方法.在电子电路中,地线不仅为电路提供一个电位公共参考点,而且也为电流提供一条能够流回源的低阻抗路径.由于地线存在阻抗,当电流流过地线时,会在地线上产生电压差,从而形成地线干扰,严重时将会影响电路的正常工作.减小或消除地线干扰的主要方法是减小地线的阻抗和地线电流.为此,可以针对不同的信号频率及干扰性质,根据系统的结构和功能采用相应的接地方式,将接地、屏蔽及滤波等措施结合使用. 相似文献
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LIZhong XINHua-mei WANGQiang LIYu-guo LIHui-qi 《半导体光子学与技术》2004,10(1):38-40
Blue luminescence at about 431nm is obtained from epitaxial silicon after C^ implantation,annealing in hydrogen ambience and chemical etching sequentially. When annealed in nitrogen ambience and etched accordingly, there is a much narrower peak at about 430nm. During C^ implantation,C=O compounds are introduced into and embedded in the surface of nanometer Si formed during annealing,at last, nanometer silicon with embedded structure is formed,which contributes to the blue emission. 相似文献
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利用CO_2连续激光器在45钢表面进行了激光熔敷镍基合金、镍基Cr_2O_3合金和镍基WC合金,以2Cr13不锈钢为对比材料,系统地研究了激光熔敷层在不同冲击速度和腐蚀介质浓度下的腐蚀磨损特性,并根据组织分析、显微硬度测试及腐蚀磨损后的表面形貌观察,探讨了激光熔敷层的腐蚀磨损过程。结果表明:激光熔敷层的腐蚀磨损性能均比2Cr13不锈钢好。 相似文献
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